常見的ESD靜電放電模式有四種，分別是人體放電模型、機器放電模型、帶電器件模型、感應(yīng)放電模型：1.HBM，人體放電模型，即帶電人體對器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：人體——器件——地。2．MM，機器模型，即帶電設(shè)備對器件放電，導(dǎo)致器件損壞。放電途徑為：機器——器件——地。3．CDM，帶電器件模型，即帶電器件直接對敵放電。放電途徑為：器件——地。4．FICDM,感應(yīng)放電模型，即器件感應(yīng)帶電后放電。途經(jīng)：電場——器件帶電——地。國際上習(xí)慣將用于靜電防護的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。天津SD卡ESD保護元件選型

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。山東SD卡ESD保護元件參數(shù)ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。

ESD保護,在將電纜移去或連接到網(wǎng)絡(luò)分析儀上時，防止靜電放電（ESD）是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時很容易損壞靈敏的內(nèi)部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長久性損壞。為了防止損壞儀器，應(yīng)采取以下措施：1、保證環(huán)境濕度。2、鋪設(shè)防靜電地板或地毯。3、使用離子風(fēng)槍、離子頭、離子棒等設(shè)施，使在一定范圍內(nèi)防止靜電產(chǎn)生。4、半導(dǎo)體器件應(yīng)盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導(dǎo)電性能,能有效防止靜電的產(chǎn)生。當(dāng)然,有條件的應(yīng)盛放在金屬盛器內(nèi)或用金屬箔包裝。5、操作人員應(yīng)在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應(yīng)有良好的接地性能,這種措施**為有效。

靜電是物體表面過剩或不足的靜止電荷，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達到數(shù)萬伏以上，人體靜電電壓可以達到1萬伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時間短的特點，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達數(shù)萬伏以至數(shù)千萬伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測量時復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測量靜電是為靜電防護工程設(shè)計和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增大。尤其當(dāng)這些器件應(yīng)用于信號接口時，產(chǎn)品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產(chǎn)品接口器件在生產(chǎn)中和市場上的ESD損壞事故頻頻發(fā)生，因此在設(shè)計和制造通信產(chǎn)品時除了加強產(chǎn)品制造過程的ESD控制外，還要加強產(chǎn)品的ESD防護設(shè)計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設(shè)計已成為提高通信產(chǎn)品可靠性的一個重要環(huán)節(jié)。ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離、箝位(限幅)、衰減、濾波等降低ESD沖擊電壓。福建SD卡ESD保護元件應(yīng)用

ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。天津SD卡ESD保護元件選型

防護管一般和被保護電路并聯(lián)。防護管的串聯(lián)寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護能力。防護管的結(jié)電容產(chǎn)生的容抗和被保護電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當(dāng)防護管的結(jié)電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護器件的結(jié)電容是影響信號質(zhì)量的主要因素，在高頻接口要求防護器件的結(jié)電容要盡量小。現(xiàn)在各種電浪涌防護管的結(jié)電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現(xiàn)有的防護器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護將對信號質(zhì)量產(chǎn)生不可容忍的影響。防護器件要具有雙極性(雙向)防護功能，其響應(yīng)時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護效果，響應(yīng)速度越快其防護效果越好。防護管的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產(chǎn)生限幅效應(yīng)，箝位電壓過高則ESD防護效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護電路設(shè)計的難度。天津SD卡ESD保護元件選型