防護管一般和被保護電路并聯。防護管的串聯寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護能力。防護管的結電容產生的容抗和被保護電路I/0端口的特征阻抗并聯，當防護管的結電容較大時，在高頻下的容抗較小，會嚴重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護器件的結電容是影響信號質量的主要因素，在高頻接口要求防護器件的結電容要盡量小。現在各種電浪涌防護管的結電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現有的防護器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護將對信號質量產生不可容忍的影響。防護器件要具有雙極性(雙向)防護功能，其響應時間小于ns級時，對ESD脈沖才具有較好的防護效果，響應速度越快其防護效果越好。防護管的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產生限幅效應，箝位電壓過高則ESD防護效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護電路設計的難度。ESD防護主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。湖南SD卡ESD保護元件封裝

ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增大。尤其當這些器件應用于信號接口時，產品的組裝、測試和用戶使用過程中接口的高接觸率、電纜放電(CDE)等常使接口器件長久或潛在損傷，通信產品接口器件在生產中和市場上的ESD損壞事故頻頻發生，因此在設計和制造通信產品時除了加強產品制造過程的ESD控制外，還要加強產品的ESD防護設計，尤其是高頻信號接口的ESD防護設計已成為提高通信產品可靠性的一個重要環節。重慶SIM卡ESD保護元件電容ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面，并盡可能保持濕潤。操作人員應穿防靜電鞋，以減少人體帶電。如鋪有地毯應夾織金屬絲，并與自來水管等接地體連接，以盡快導除靜電。(2)在易燃易爆場所，工作人員不應穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造。(4)對高壓帶電體應加屏蔽，人體應避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應。避免靜電過量積累有幾種簡單易行的方法：***，到自然環境中去。有條件的話，在地上赤足運動一下，因為常見的鞋底都屬絕緣體，身體無法和大地直接接觸，也就無法釋放身上積累的靜電。第二，盡量少穿化纖類衣物，或者選用經過防靜電處理的衣物。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品。同時，遠離化纖地毯。第三，秋冬季要保持一定的室內濕度，這樣靜電就不容易積累。室內放上一盆清水或擺放些花草，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附。第四，長時間用電腦或看電視后，要及時清洗裸露的皮膚，多洗手、勤洗臉，對消除皮膚上的靜電很有好處。第五，多飲水，同時補充鈣質和維生素c，減輕靜電對人帶來的影響。

高頻接口的ESD防護電路設計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產品內部接口的靜電放電風險主要是在產品及其部件的組裝和測試過程，當制造環境和測試策略進行適當的防靜電控制后，ESD風險能夠得到一定程度的降低，但是實際經驗表明，這些內部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產品外部接口的ESD風險不僅存在于產品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數。一般HBM參數應不低于500V，CDM和MM參數應不低工200V。ESD靜電保護元件可以做成陣列式，同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。

靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術經理，說過一句很經典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。湖南VGA接口ESD保護元件封裝

在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案。湖南SD卡ESD保護元件封裝

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應使得人體放電的等效電阻***變小。湖南SD卡ESD保護元件封裝