高壓二極管的工作原理是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓整流二極管電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有比較大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的最大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。高壓二極管具有體積小,耐壓高,速度快,穩定性好的特點高壓二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。高壓二極管漏電流較大,多數采用面接觸性料封裝的二極管。 二極管具有PN結結構。浙江通用二極管作用

激光二極管LD包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優點，是市場應用的主流產品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優點，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道，高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中，,上行發射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。福建瞬態電壓抑制二極管正負由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非?？?，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。

SBD的主要優點包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度，故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。但是，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。

普通的二極管由PN結組成。在P和N半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導體層，組成的這種P-I-N結構的二極管就是PIN二極管。正因為有本征(Intrinsic)層的存在，PIN二極管應用很***，從低頻到高頻的應用都有，主要用在RF領域，用作RF開關和RF保護電路，也有用作光電二極管(PhotoDiode)。PIN二極管包括PIN光電二極管和PIN開關二極管。微波開關利用PIN管在直流正-反偏壓下呈現近似導通或斷開的阻抗特性,實現了控制微波信號通道轉換作用.PIN二極管的直流伏安特性和PN結二極管是一樣的，但是在微波頻段卻有根本的差別。由于PIN二極I層的總電荷主要由偏置電流產生。而不是由微波電流瞬時值產生，所以其對微波信號只呈現一個線性電阻。此阻值由直流偏置決定，正偏時阻值小，接近于短路，反偏時阻值大，接近于開路。因此PIN二極對微波信號不產生非線性整流作用，這是和一般二極管的根本區別，所以它很適合于做微波控制器件。 引線型二極管有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。

SBD的結構及特點使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計算機中被***采用。除了普通PN結二極管的特性參數之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數等。 二極管最高反向工作電壓也就是二極管承受的交流峰值電壓。福建瞬態電壓抑制二極管正負

常用的國產高速開關二極管有2CK系列。浙江通用二極管作用

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。*****的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降*。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。一個典型的應用，是在雙極型晶體管BJT的開關電路里面，通過在BJT上連接Shockley二極管來箝位，使得晶體管在導通狀態時其實處于很接近截止狀態，從而提高晶體管的開關速度。這種方法是74LS，74ALS，74AS等典型數字IC的TTL內部電路中使用的技術。肖特基（Schottky）二極管的比較大特點是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。它也有一些缺點：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時要***考慮。浙江通用二極管作用

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