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目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究，AlSiC取得了較大的產業化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。鋁碳化硅已經應用于直升機模鍛件。浙江多功能鋁碳化硅哪家好（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對...

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應用于高功率封裝領域。上海好的鋁碳化硅分類在國內，隨著AESA產品的定型，T/R...

(3)、激光加工：目前國內外學者對鋁基復合材料激光加工技術的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機械斬光盤調脈沖激光器切割試驗表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當的平均功率條件下，采用高速多次重復走刀切割工藝，可以得到無裂紋的精細切口。有研究采用氧氣作輔助氣體，用800W的連續波CO2激光在厚度13.5mm的復合材料上加工出了直徑0.72mm的無損傷深孔，深徑比達18.75。有研究提出了基于裂紋加工單元的激光銑削方法，他們采用激光對復合材料進行了基于裂紋加工單元的激光銑削加工，并在零件上加工出了形狀較復雜的型腔。研究結果表明，采用該方法進行激光銑削所需要的功...

2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所固有的物理和化學特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術，其中主要表現于：加工溫度高，在高溫下易發生不利的化學反應；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。 （1）、高溫下的不利化學反應問題：在加工過程中，為了確保基體的浸潤性和流動性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點）。在高溫下，基體與增強材料易發生界面反應，生成有害的反應產物Al4C3，呈脆性，會成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復合材料的加工溫度是一項關鍵技術。該問題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時間，使增強材料與基體界面...

鋁碳化硅材料成型制造技術的發展趨勢：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發展，高效、低成本、批量生產的方法仍需研究開發，這將關系到鋁碳化硅材料的廣泛應用和發展。當前，現代制造技術的發展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應用提供了有力的保證。計算機技術、現代測試技術、新材料技術的完善，使復合材料的制備技術、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術的發展趨勢必將是多學科、多種技術相“復合”的綜合過程。高體分鋁碳化硅真空壓力浸滲工藝流程包括：陶瓷多孔預制件制備、真空壓力浸滲、成型件繼續加工。浙江新型鋁碳化硅電話多少 a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導熱性（豐田制造發動機活塞導熱性比鑄鐵活塞導熱性提升4倍...

作為結構件或結構-功能一體化構件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛星的光機結構。例如，在高分辨率遙感衛星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復合材料制作其空間光學反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復雜輕量化結構，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結構，減輕重量，并***降低光機結構的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結構的時間常數和熱慣性，使結構更容易達到熱平衡，進而易于保持光學鏡面。另外，由于采用該復合材料的光機系統在大范圍高低溫交替變化下產生的熱...

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴大生產規模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環、基片等，在熔滲之前插入SiC預成形件內，在AlSiC復合成形過程中，經濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。鋁碳化...

倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。杭州陶飛侖是專業從事金屬陶瓷復合材料研發、生產、銷售一體型新材料公司。新型鋁碳化硅行業標...

在國內，隨著AESA產品的定型，T/R模塊出現批量生產需求，其基板、殼體的生產極為關鍵，采用近凈成形技術，研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封裝微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核，器件的微波性能、熱性能無變化，可完全滿足應用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右，有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只，實現某型號雷達***國產化、固態化，今后幾年會持續批量生產，S、C波段功率模塊怎樣低成本生產，將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。低...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優勢及應用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩定性。（2）、高比強度、高比剛度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量，實現武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數:（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數（9～11）×10-6/K，可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩定的尺寸。（4）、高導熱...

隨著AlSiC復合材料在航空航天、汽車、***、電子、體育用具等領域的廣泛應用，對其制品的加工精和表面質量的要求也越來越高，采用傳統的機械加工方法或單一的特種加工方法，都難以實現高標準的加工要求。這就要求在對AlSiC復合材料的機械切削加工、激光加工、超聲加工和電火花加工的加工工藝、加工機理進行研究的同時，更多地注重研究復合加工技術，尤其是超聲加工與機械切削加工、電解加工、電火花加工相配合的復合加工技術的研究工作。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅熱導率超過230W/m·K.上海鋁碳化硅方法火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比...

(4)、超聲加工： 超聲加工(USM)是指將超聲波和數控加工中心相互結合，在數控加工中心上由超聲發生器產生高頻電振蕩(一般為16kHz～25kHz)，施加于超聲換能器上，將高頻電振蕩轉換成超聲頻振動。超聲振動通過變幅桿放大振幅，并驅動以一定的靜壓力壓在工件表面上的工具產生相應頻率的振動。工具端部通過磨料不斷地捶擊工件，使加工區的工件材料粉碎成很細的微粒，被循環的磨料懸浮液帶走，工具便逐漸進入到工件中，從而加工出與工具相應的形狀。 鋁碳化硅已經應用于制動閥片。浙江好的鋁碳化硅設計標準 真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理） 工藝設備：真空壓力浸滲爐 工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。 工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。 適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發、生產、銷售和技術服務為一體的高科技企業。安徽質量鋁碳化硅設計鋁碳化硅材料成型制造技術的發...

倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。高體分鋁碳化硅廣泛應用于微電子的散熱基板中。湖北好的鋁碳化硅包括哪些 在我國工業和信息...

5、鋁碳化硅材料制機械加工技術介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產品制造中的難點環節，主要體現在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長等方面。 （1）、傳統機械加工技術：SiC增強體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質合金刀具)的硬度高的多，在機械加工的過程中會引起劇烈的刀具磨損。PCD金剛石刀具雖然比增強體顆粒的硬度高，但硬度值相差不大，在切削加工高體分的顆粒增強AlSiC復合材料時仍然會快速磨損，且PCD金剛石刀具成本更高。眾多研究表明，隨著SiC含量的增大(13%～70%)，可切削性越來越差，加工效率隨之降低，生產成本快速增加。若以45#鋼的切削性能為1計量，...

AlSiC的典型熱膨脹系數為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質上消除了。同時AlSiC材質的熱導率可高達（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導率還高50%。英飛凌試驗證明，采用AlSiC材料制作的IGBT基板，經過上萬次熱循環，模塊工作良好如初，焊層完好。 AlSiC材料很輕，只有銅材的1/3，和鋁差不多，但抗彎強度(>300MPa)卻和鋼材一樣好。這使其在抗震性能方面表現***，超過銅基板。因此，在高功率電子封裝方面，AlSiC材料以其獨特的高熱導、低熱膨脹系數和抗彎強度的結合優勢成為不可替...

AESA由數以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MT...

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。鋁碳化硅已經應用于PW4000發動機風扇出口導葉。浙江航天級鋁碳化硅 鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應用方向及**零件：可同時運用于***和民用領域的熱管理材料領域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。鋁碳化硅已經應用于飛機的油箱口蓋。陜西大規模鋁碳化硅原料 鋁碳化...

a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發展的重要轉折點是從美國F-22開始應用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離 APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統、多功能綜合射頻系統、綜合式射頻傳感器系統、JSF傳感器系統等，所用T/R (發/收）模塊封裝技術日趨成熟，每個T/R模塊成本由研發初期的10萬美元降至600-800美元，數年內可降至約200美元，成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰飛機都有安裝新的或更新AESA計劃，使其作戰效能進一步發揮，在多目標威脅環境中先敵發現、發射、殺傷，F...

a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發展的重要轉折點是從美國F-22開始應用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離 APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統、多功能綜合射頻系統、綜合式射頻傳感器系統、JSF傳感器系統等，所用T/R (發/收）模塊封裝技術日趨成熟，每個T/R模塊成本由研發初期的10萬美元降至600-800美元，數年內可降至約200美元，成為機載雷達的**部分。幾乎所有的美國參戰飛機都有安裝新的或更新AESA計劃，使其作戰效能進一步發揮，在多目標威脅環境中先敵發現、發射、殺傷，F...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導熱性（豐田制造發動機活塞導熱性比鑄鐵活塞導熱性提升4倍...

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅顆粒分布均勻，無顆粒聚集情況，加工性能優異。湖北質量鋁碳化硅一體化 (4)、超聲加工： 超聲加工(...

(2)、銑磨加工技術： 目前，切削加工是AlSiC復合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴重和難以獲得良好加工表面質量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結)在數控銑床上對工件進行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點，又同時具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時，又能保證加工表面質量。目前此種加工方法已經在鋁碳化硅材料成型過程中廣泛應用。 杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅致密度超過99.7%。湖南使用鋁碳化硅價格多少 2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理） 工藝設備：真空壓力浸滲爐 工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。 工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。 適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 杭州陶飛侖經過不斷研究，創新性的開發出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結構件制備工藝。浙江使用鋁碳化硅產品介紹在國內，隨著AESA產品的定...

超聲加工的主要特點是： 不受鋁碳化硅材料是否導電的限制；工具對鋁碳化硅工件的宏觀作用力小、熱影響小，因而可加工薄壁、窄縫和薄片工件；被加工材料的脆性越大越容易加工，材料越硬或強度、韌性越大則越難加工；由于鋁碳化硅工件材料的碎除主要靠磨料的作用，磨料的硬度應比被加工材料的硬度高，而超聲波加工過程中使用的工具的硬度可以低于工件材料；可以與其他多種加工方法結合應用，如超聲振動切削、超聲電火花加工和超聲電解加工。 高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。浙江鋁碳化硅國內外加工現狀（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對增強...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中，所需設備簡單，易于低成本制備，但產品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節，SiC承載量大，但較難實現材料的一次成形。鋁...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究，AlSiC取得了較大的產業化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。高體分鋁碳化硅廣泛應用于微電子的散熱基板中。標準鋁碳化硅方法 5、鋁碳化硅材料制機械加工技術介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產品制造中...

AESA由數以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MT...