比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時,在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子,一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C過大將使信號衰減。因此,C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。600W的TVS產品一般貼片為SMB封裝或者插件DO-15封裝。山東大功率TVSSMBF引發 TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件...
電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因,常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有,使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制,TVS(Transient Voltage Suppressor) 或稱瞬態抑制二極管,是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品,其電路符號和普通穩壓二極管相同,外形也與普通二極管無異。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。浙江TVS訂制5、對于數據接口電路的保護,還必須注意選取具有合適電容C的TVS器...
箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒;對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種,按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如:各種交流電壓保護器、4~200mA電流環保器、數據線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內部結構可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列(適用多線保護)、貼片式、組件式和大功率模塊式等。TVS array是將小功率TVS與二極管通過電路設計包封在特定封裝內具有特定功能的器件.湖北貼片TVSSMAFPN結的單向導電性PN結加正向...
當 PN 結的反向偏壓較高時,會發生由于碰撞電離引發的電擊穿,即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加,直到與半導體晶格發生碰撞,碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞,如果平均每個電子(或空穴)在經過耗盡區的過程中可以產生大于 1 對的電子空穴對,那么該過程可以不斷被加強,**終達到耗盡區載流子數目激增,PN 結發生雪崩擊穿。SMAF或SMBF封裝的TVS是扁平化的TVS封裝類型,比較薄,節約PCB空間。山東SM8STVS廠家TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓,但是齊納擊穿電流更小,大于10V的穩...
比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值,請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%,如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。車規級TVS要求具有較高的可靠性,一般要通過AEC-Q認證要求。北京車規TVS生產高效靈活的倉儲物流管理,長期降...
TVS管在穩壓管工藝基礎上發展起來的新產品,是一種新型的高效電路保護器件之一,具有P秒級的響應時間和高浪涌吸收能力;而穩壓二極管,利用pn結反向擊穿狀態,在電流變化范圍內,保持電壓穩定所研發出來穩壓作用的二極管。共同點:在一定范圍內,能限制兩端的電壓;長時間運作耐流值幾乎一樣,均跟體積功耗相關聯。工作原理不同:tvs管:雪崩效應,在高能量的瞬時過壓脈沖時,阻抗能立馬降低到很低的導通值,允許較大電流通過,并將電壓箝制到預定水平,避免電路中的精密元器件免受損壞。 穩壓管:齊納隧道效應,當反向電壓達到并超過穩定電壓時,反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定。TVS的瞬態功率一般是在10/1000μs...
反向擊穿性PN結加反向電壓時,空間電荷區變寬,區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時,反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流,則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種,即隧道擊穿(也叫齊納擊穿)和雪崩擊穿,前者擊穿電壓小于6V,有負的溫度系數,后者擊穿電壓大于6V,有正的溫度系數。雪崩擊穿:阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時,其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來,產生自由電子—空穴對,新產生的載流子在強電場作用下,再去碰撞其它中性原子,又產生新的自由電子—空穴對,如此連鎖反應,使阻擋層中的載流子數量急劇增加,像雪崩...
電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因,常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有,使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制,TVS(Transient Voltage Suppressor) 或稱瞬態抑制二極管,是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品,其電路符號和普通穩壓二極管相同,外形也與普通二極管無異。TVS的失效模式通常為短路失效模式。重慶車規TVSDO-218AB在規定的反向應用條件下,當承受一個高能量的瞬時過壓脈沖時,其工作阻抗...
這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管(本文簡稱ESD管)和防浪涌用的大功率TVS管(本文簡稱浪涌管)。這里說的浪涌測試標準指TVS器件規格書上標明的測試標準:IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標準,必須通過,提供測試數據IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數據IEC61000-4-5(8/20us)——浪涌測試標準,必須通過,提供測試數據下面是安森美ESD5481MUT5G,用在一般信號線上的ESD管規格書提供的信息,人家一個小管子,完成了三個標準的測試。車規級TVS要求具有較高的可靠性,一般要通過...
分類不同:TVS管:按極性,可分為單、雙極性;按用途,可分為通用型、**型;穩壓管:按穩壓高低,可分為低壓二極管和高壓穩壓二極管;按材料,可分為N型和P型。用途不同:TVS管:用于瞬態電壓保護;TVS管電壓精度是在一定范圍內;TVS管通流能力能達到幾百安;在穩壓值當方面,TVS管6.8v-550V;穩壓管:對漏極和源極進行箝位保護;精確度方面較高;穩壓管的耐浪涌電流小;穩壓管電壓范圍一般為3.3V-75V。。。。。。。。。。。。。。相同功率的TVS,工作電壓越高,通流量越低。安徽軸向插件TVS失效模式上海來明電子有限公司成立于2010年,是一家致力于電子元器件服務的供應鏈整合管理機構,專注為客...
車規級TVS與工業級TVS的區別如下:1.級別不同:元器件一般分為**,工業級,民用級這三個級別,市面流通基本都是工業級民用級,車規級很少用于區分級別的,大概介于工業級和**之間。2、工作溫度范圍不同:一般而言,工業級器件的工作溫度范圍為-40℃~+85℃,車規級器件則是-40℃~+125℃。3、優勢不同:車規級器件比工業級器件有著更好的性能、更強的溫度適應能力和抗干擾能力(包括抵抗溫度極限、溫差變化的能力以及其它可靠性等),車規級器件的優勢就體現在它的性能和可靠性上,而這兩者之間的主要差異就體現在產品的整個生產、管控以及測試環節。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。安徽玻璃...
箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒;對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種,按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如:各種交流電壓保護器、4~200mA電流環保器、數據線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內部結構可分為:軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列(適用多線保護)、貼片式、組件式和大功率模塊式等。TVS硬擊穿可表現為晶體管圖示儀上伏安曲線直接呈現一條直線。上海5KATVS續流對于做汽車電子硬件設計的工程師來說,ISO7627-2這個標準...
單向TVS的V-I特性,單向TVS的正向特性與普通穩壓二極管相同,,反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿,為典型的PN結雪崩器件。,雙向TVS的V-I特性,雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合,,其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性,正反兩面擊穿電壓的對稱關系為:,0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,,一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉,雙向TVS在交流回路應用十分方便。。。。。TVS選型注意事項包括功率,封裝,電壓,通流量等。北京100KATVS參數高溫當TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時,易發生短路失效且通常發生...
PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓,因此,PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應,使實際制造出的 PN...
比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值,請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%,如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。TVS的性能優于壓敏電阻MOV。湖北插件TVS伏安特性TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓,但是齊納擊穿電流更小,大于...
干擾脈沖過去后,TVS又轉入反向截止狀態。由于在反向導通時,其箝位電壓低于電路中其它器件的最高耐壓,因此起到了對其它元器件的保護作用。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦,其箝位時間<1ns。TVS在其散熱及功率承受范圍內可反復應用于電路的過壓保護。TVS根據極性可分為單向和雙向TVS。單向TVS一般適用于直流電路,雙向TVS一般適用于交流電路中。由于TVS起保護作用響應速度快、使用壽命長、封裝多樣化,鉗位電壓低,因此在瞬變電壓防護領域有著非常***的應用。400W功率的TVS一般為SMA封裝或插件DO-41封裝。安徽軸向插件TVS現貨TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓,但是齊納擊穿電流更小,大于...
TVS 臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。 TVS 制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時,由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時,腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS 器件經過溫度循環和箝位沖擊等篩選試驗后,進行電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常,從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS 器件在篩選后電參數測試時不易被發現,可能被列為良品出廠。這些TVS 器件在使用過程中經受長時間熱、電、機械等應力的作用后,臺面缺陷加劇,在缺陷處形成載流子產生-復合中心,使表面反向漏電流**增加。大的表面...
PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區,負極接P區,外加的反向電壓有一部分降落在PN結區,PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動,使空間電荷區變寬,電流不能流過,方向與PN結內電場方向相同,加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強,擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流,可忽略擴散電流,PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下,由本征激發決定的少子濃度是一定的,故少子形成的漂移電流是恒定的,基本上與所加反向電壓的大小無關,這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時,呈現低電阻,具有較大的正向擴散電流;PN結加反向電壓時,呈現高電阻,...
引發 TVS 短路的**典型的原因是管芯與內引線組件、底座銅片燒結不良,在燒結界面出現大面積空洞,空洞可能是由于焊料不均勻或粘結界面各層材料玷污、氧化使焊料沾潤不良,造成燒焊時焊料與芯片或金屬電極沒有良好的熔合焊接引起的。空洞面積較大時,電流在燒結點附近匯聚,管芯散熱困難,造成熱電應力集中,產生局部熱點,嚴重時引起熱奔,使器件燒毀。對這些燒毀的器件。進行解剖分析,可以看到有芯片局部較深的熔融:空洞面積較小時,可加速焊料熱疲勞,使焊料層會產生疲勞龜裂,引起器件熱阻增大,**終導致器件。過熱燒毀。TVS與MOV比,具有較低的鉗位電壓。江蘇10KATVS殘壓上海來明電子有限公司成立于2010年,是一...
PN結的單向導電性PN結加正向電壓時導通,PN結加正向電壓時導通,(1)PN結加正向電壓時導通,如果電源的正極接P區,負極接N區,外加的正向電壓有一部分降落在PN結區,PN結處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊,空穴和電子都向界面運動,使空間電荷區變窄,電流可以順利通過,方向與PN結內電場方向相反,削弱了內電場。于是,內電場對多子擴散運動的阻礙減弱,擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流,可忽略漂移電流的影響,PN結呈現低阻性。單向電路中可選用單向TVS進行過壓保護。湖南方形TVS符號對于接口電路來說,為了保護我們的內部電路,都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS,而TVS是由二極管構...
PN結的單向導電性PN結加正向電壓時導通,PN結加正向電壓時導通,(1)PN結加正向電壓時導通,如果電源的正極接P區,負極接N區,外加的正向電壓有一部分降落在PN結區,PN結處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊,空穴和電子都向界面運動,使空間電荷區變窄,電流可以順利通過,方向與PN結內電場方向相反,削弱了內電場。于是,內電場對多子擴散運動的阻礙減弱,擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流,可忽略漂移電流的影響,PN結呈現低阻性。TVS與MOV比,具有較低的鉗位電壓。浙江4532TVS伏安特性高效靈活的倉儲物流管理,長期降低供應成本,解決物料短缺,專人負責訂單周期管理、供應商跟進,保證高效及...
根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同,利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管,利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管;利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管;利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管;利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器;利用光生伏***應可制成太陽電池。此外,利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大,振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型...
TVS的封裝類型有:2)SMA/DO-214AC封裝:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封裝:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封裝:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封裝:P4KE系列(400W);7)DO-15封裝:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;8)DO-201封裝:1....
對于接口電路來說,為了保護我們的內部電路,都會在信號進入到電路板的連接器處增加TVS,而TVS是由二極管構成的,是二極管就會有結電容,結電容的大小會對信號造成一定的影響,特別是高速信號,而這里給出了建議的結電容大小,以使對信號的影響盡可能的降低,保證能正常的通信。以下對各接口的結電容建議:GPIO接口結電容<30pF,pushbutton<30pF,Audio<10pF,USB2.0<2.5pF,USB3.0<0.5pF,USB3.1 gen2<0.3pF,HDMI1.4<0.7pF,HDMI2.0<0.5pF,天線<0.2pF。TVS的瞬態功率一般是在10/1000μs的波形下測量。20KA...
比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值,請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%,如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。來明電子可根據客戶要求,為客戶定制各類TVS產品。安徽盾形TVS替代PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,...
電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因,常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有,使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制,TVS(Transient Voltage Suppressor) 或稱瞬態抑制二極管,是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品,其電路符號和普通穩壓二極管相同,外形也與普通二極管無異。TVS選型注意事項包括功率,封裝,電壓,通流量等。玻璃TVS失效模式TVS瞬態抑制二極管失效模式:1:當瞬態脈沖能量大于TVS所能承受...
TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓,但是齊納擊穿電流更小,大于10V的穩壓只有1mA,相對來說要比齊納二極管擊穿電流要大不少,但是齊納二極管穩壓精度可以做的比較高。在電路中一般工作于反向截止狀態,此時它不影響電路的任何功能。TVS在規定的反向應用條件下,當電路中由于雷電、各種電器干擾出現大幅度的瞬態干擾電壓或脈沖電流時,它在極短的時間內(比較高可達到1×10-12秒)迅速轉入反向導通狀態,并將電路的電壓箝位在所要求的安全數值上,從而有效的保護電子線路中精密元器件免受損壞。TVS的性能優于壓敏電阻MOV。重慶軸向插件TVS現貨5、對于數據接口電路的保護,還必須注意選取具有合適電容C的TVS器件。6、...
PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓,因此,PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應,使實際制造出的 PN...
比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時,在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子,一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比,C過大將使信號衰減。因此,C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。TVS的結電容與TVS的功率成正比,相同電壓下功率越大,結電容也越大。上海5KATVS定制TVS的封裝類型有:2)SMA/DO-214AC封...
TVS的封裝類型有:2)SMA/DO-214AC封裝:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封裝:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封裝:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封裝:P4KE系列(400W);7)DO-15封裝:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;8)DO-201封裝:1....