合封電子、芯片合封和SiP系統級封裝經常被提及的概念。但它們是三種不同的技術，還是同一種技術的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統級封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統或者子系統。以實現更復雜、更高效的任務。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術、SiP封裝技術等。SiP并沒有一定的結構形態，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。甘肅半導體芯片封裝方案

SiP系統級封裝作為一種集成封裝技術，在滿足多種先進應用需求方面發揮著關鍵作用。以其更小、薄、輕和更多功能的競爭力，為芯片和器件整合提供了新的可能性，目前其主要應用領域為射頻／無線應用、移動通信、網絡設備、計算機和外設、數碼產品、圖像、生物和MEMS傳感器等。固晶貼片機（Die bonder），是封裝過程中的芯片貼裝（Die attach）的主要設備。隨著SiP系統級封裝、3D封裝等先進封裝的普及，對固晶機設備在性能方面提出了更高的需求。上海IPM封裝參考價SiP封裝是將多個半導體及一些必要的輔助零件，做成一個相對單獨的產品。

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結構一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV，只需在interposer的上層布線來實現電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。

sip封裝的優缺點，SIP封裝的優缺點如下：優點：結構簡單：SIP封裝的結構相對簡單，制造和組裝過程相對容易。成本低：SIP封裝的制造成本較低，適合大規模生產。可靠性高：SIP封裝具有較好的密封性能，可以免受環境影響，提高產品的可靠性。適應性強：SIP封裝適用于對性能要求不高且需要大批量生產的低成本電子產品。缺點：引腳間距限制：SIP封裝的引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2至23不等，這限制了其在一些高密度、高性能應用中的使用。不適用于高速傳輸：由于SIP封裝的引腳間距較大，不適合用于高速數據傳輸。散熱性能差：SIP封裝的散熱性能較差，可能不適用于高功耗的芯片。汽車電子里的 SiP 應用正在逐漸增加。

無引線縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤（通過電鍍工藝形成Au凸點）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線有規則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，FCB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點；② 將芯片翻轉朝下，與高性能LSI專門使用的多層布線封裝基板的電極對齊，然后加熱連接；③ 注入樹脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上錫球。隨著SiP系統級封裝、3D封裝等先進封裝的普及，對固晶機設備在性能方面提出了更高的需求。陜西BGA封裝

SiP封裝方法的應用領域逐漸擴展到工業控制、智能汽車、云計算、醫療電子等許多新興領域。甘肅半導體芯片封裝方案

SiP 封裝優勢。在IC封裝領域，是一種先進的封裝，其內涵豐富，優點突出，已有若干重要突破，架構上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能較大程度上提高，表示著技術的發展趨勢，在多方面存在極大的優勢特性，體現在以下幾個方面。SiP 實現是系統的集成。采用要給封裝體來完成一個系統目標產品的全部互聯以及功能和性能參數，可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連技術以及別的IC芯片堆疊等直接內連技術，將多個IC芯片與分立有源和無源器件封裝在一個管殼內。甘肅半導體芯片封裝方案

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