SiP 技術(shù)在快速增長(zhǎng)的車(chē)載辦公系統(tǒng)和娛樂(lè)系統(tǒng)中也獲得了成功的應(yīng)用。消費(fèi)電子目前 SiP 在電子產(chǎn)品里應(yīng)用越來(lái)越多，尤其是 TWS 耳機(jī)、智能手表、UWB 等對(duì)小型化要求高的消費(fèi)電子領(lǐng)域，不過(guò)占有比例較大的還是智能手機(jī)，占到了 70%。因?yàn)槭謾C(jī)射頻系統(tǒng)的不同零部件往往采用不同材料和工藝，包括硅，硅鍺和砷化鎵以及其他無(wú)源元件。目前的技術(shù)還不能將這些不同工藝技術(shù)制造的零部件集成在一塊硅芯片上。但是 SiP 工藝卻可以應(yīng)用表面貼裝技術(shù) SMT 集成硅和砷化鎵芯片，還可以采用嵌入式無(wú)源元件，非常經(jīng)濟(jì)有效地制成高性能 RF 系統(tǒng)。先進(jìn)封裝的制造過(guò)程中，任何一個(gè)環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個(gè)封裝的失敗。廣東WLCSP封裝行價(jià)

SiP主流的封裝結(jié)構(gòu)形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結(jié)構(gòu)是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線(xiàn)鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術(shù)進(jìn)行互連。陜西BGA封裝價(jià)格隨著集成的功能越來(lái)越多，PCB承載的功能將逐步轉(zhuǎn)移到SIP芯片上。

PoP封裝技術(shù)有以下幾個(gè)有點(diǎn)：1）存儲(chǔ)器件和邏輯器件可以單獨(dú)地進(jìn)行測(cè)試或替換，保障了良品率；2）雙層POP封裝節(jié)省了基板面積, 更大的縱向空間允許更多層的封裝；3）可以沿PCB的縱向?qū)ram,DdramSram,Flash,和 微處理器進(jìn)行混合裝聯(lián)；4）對(duì)于不同廠(chǎng)家的芯片, 提供了設(shè)計(jì)靈活性,可以簡(jiǎn)單地混合裝聯(lián)在一起以滿(mǎn)足客戶(hù)的需求，降低了設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和成本；5）目前該技術(shù)可以取得在垂直方向進(jìn)行層芯片外部疊加裝聯(lián)；6）頂?shù)讓悠骷B層組裝的電器連接，實(shí)現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以應(yīng)對(duì)邏輯器件和存儲(chǔ)器件之間的高速互聯(lián)。

3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線(xiàn)設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線(xiàn)的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SIP模組板身是一個(gè)系統(tǒng)或子系統(tǒng)，用在更大的系統(tǒng)中，調(diào)試階段能更快的完成預(yù)測(cè)及預(yù)審。

SIP工藝解析，引線(xiàn)鍵合封裝工藝工序介紹：圓片減薄，為保持一定的可操持性，F(xiàn)oundry出來(lái)的圓厚度一般在700um左右。封測(cè)廠(chǎng)必須將其研磨減薄，才適用于切割、組裝，一般需要研磨到200um左右，一些疊die結(jié)構(gòu)的memory封裝則需研磨到50um以下。圓片切割，圓片減薄后，可以進(jìn)行劃片，劃片前需要將晶元粘貼在藍(lán)膜上，通過(guò)sawwing工序，將wafer切成一個(gè) 一個(gè) 單獨(dú)的Dice。目前主要有兩種方式：刀片切割和激光切割。芯片粘結(jié)，貼裝的方式可以是用軟焊料(指Pb-Sn合金，尤其是含Sn的合金)、Au—Si低共熔合金等焊接到基板上，在塑料封裝中較常用的方法是使用聚合物粘結(jié)劑粘貼到金屬框架上。SiP技術(shù)路線(xiàn)表明，越來(lái)越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。浙江SIP封裝市價(jià)

SIP模組尺寸小，在相同功能上，可將多種芯片集成在一起，相對(duì)單獨(dú)封裝的IC更能節(jié)省PCB的空間。廣東WLCSP封裝行價(jià)

隨著科技的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷著一場(chǎng)由微型化和集成化驅(qū)動(dòng)的變革。系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package，簡(jiǎn)稱(chēng)SiP）技術(shù)，作為這一變革的主要，正在引導(dǎo)著行業(yè)的發(fā)展。SiP技術(shù)通過(guò)將多個(gè)功能組件集成到一個(gè)封裝中，不只有效節(jié)省空間，實(shí)現(xiàn)更高的集成度，還提高了性能，這對(duì)于追求高性能和緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子產(chǎn)品至關(guān)重要。SiP被認(rèn)為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術(shù)？SiP（System in Package）技術(shù)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，它允許將多個(gè)集成電路（IC）或者電子組件集成到一個(gè)單一的封裝中。這種技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術(shù)的關(guān)鍵在于它提供了一種方式來(lái)構(gòu)建復(fù)雜的系統(tǒng)，同時(shí)保持小尺寸和高性能。廣東WLCSP封裝行價(jià)