合封電子、芯片合封和SiP系統級封裝經常被提及的概念。但它們是三種不同的技術，還是同一種技術的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封電子與SiP系統級封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統或者子系統。以實現更復雜、更高效的任務。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術、SiP封裝技術等。SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。湖北陶瓷封裝定制

較終的SiP是什么樣子的呢？理論上，它應該是一個與外部沒有任何連接的單獨組件。它是一個定制組件，非常適合它想要做的工作，同時不需要外部物理連接進行通信或供電。它應該能夠產生或獲取自己的電力，自主工作，并與信息系統進行無線通信。此外，它應該相對便宜且耐用，使其能夠在大多數天氣條件下運行，并在發生故障時廉價更換。隨著對越來越簡化和系統級集成的需求，這里的組件將成為明天的SiP就緒組件，而這里的SiP將成為子系統級封裝（SSiP）。SiP就緒組件和SSiP將被集成到更大的SiP中，因為系統集成使SiP技術越來越接近較終目標：較終SiP。湖北陶瓷封裝定制SIP與SOC，SOC(System On a Chip，系統級芯片)是將原本不同功能的IC，整合到一顆芯片中。

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式，芯片一般用MicroBump與中介層連接，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線，TSV是硅基板上、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合，當引腳密度較大時，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結構一般如下圖所示，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大，可以安裝多個較小的裸芯片，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層，若干裸芯片安裝于中介層之上，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV，只需在interposer的上層布線來實現電氣互連，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。

合封電子的功能，性能提升，合封電子：通過將多個芯片或模塊封裝在一起，云茂電子可以明顯提高數據處理速度和效率。由于芯片之間的連接更緊密，數據傳輸速度更快，從而提高了整體性能。穩定性增強，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以減少故障率。功耗降低、開發簡單，合封電子：由于多個芯片共享一些共同的功能模塊，以及更緊密的集成方式，云茂電子可以降低整個系統的功耗。此外，通過優化內部連接和布局，可以進一步降低功耗。防抄襲，多個芯片和元器件模塊等合封在一起，就算被采購，也無法模仿抄襲。SIP模組板身是一個系統或子系統，用在更大的系統中，調試階段能更快的完成預測及預審。

異形元件處理，Socket / 層疊型等異形元件，因便攜式產品的不斷發展，功能集成越來越多，勢必要求在原SIP工藝基礎上，增加更多功能模塊，傳統的電容電阻已無法滿足多功能集成化要求，因此需要引入異形元件進行擴展，因此如何在精密化的集成基板上，進行異形元件的貼裝，給工藝帶來不小挑戰，這就要求設備精度高，穩定性好，處理更智能化方可滿足。成本，前期投入大，回報周期長，工藝復雜，人工成本高，產品良率低，耗損大。需要大型，穩定，利潤率較大的項目方能支撐SIP技術的持續運行。SiP并沒有一定的結構形態，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。湖北陶瓷封裝定制

SiP 封裝優勢：封裝面積增大，SiP在同一個封裝種疊加兩個或者多個芯片。湖北陶瓷封裝定制

隨著科技的不斷進步，半導體行業正經歷著一場由微型化和集成化驅動的變革。系統級封裝（System in Package，簡稱SiP）技術，作為這一變革的主要，正在引導著行業的發展。SiP技術通過將多個功能組件集成到一個封裝中，不只有效節省空間，實現更高的集成度，還提高了性能，這對于追求高性能和緊湊設計的現代電子產品至關重要。SiP被認為是超越摩爾定律的必然選擇。什么是SiP技術？SiP（System in Package）技術是一種先進的封裝技術，它允許將多個集成電路（IC）或者電子組件集成到一個單一的封裝中。這種技術可以實現不同功能組件的物理集成，而這些組件可能是用不同的制造工藝制造的。SiP技術的關鍵在于它提供了一種方式來構建復雜的系統，同時保持小尺寸和高性能。湖北陶瓷封裝定制