SiP系統(tǒng)級封裝(SiP)制程關鍵技術，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂電子已達到約為嬰兒發(fā)絲直徑的40μm。以10x10被動組件數(shù)組做比較，大幅縮減超過70%的主板面積，其中的40%乃源自于打件技術的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件與制程，因此元器件與載板之間的連結，吃錫量大幅減少，為提高打件可靠度，避免外界濕度、高溫及壓力等影響，塑封制程可將完整的元器件密封包覆在載板上。相較于一般委外封測(OSAT)塑封約100顆左右，云茂電子的系統(tǒng)級封裝塑封技術，則是可容納高達900顆組件。 由于SiP電子產(chǎn)品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發(fā)展，傳統(tǒng)的失效分析方法已不能完全適應。深圳芯片封裝定制價格

Sip這種創(chuàng)新性的系統(tǒng)級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。更為重要的是，SiP系統(tǒng)級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使得電子產(chǎn)品在緊湊設計的同時仍能實現(xiàn)突出的功能表現(xiàn)。據(jù)Yole報告，2022年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入達到212億美元。受5G、人工智能、高性能計算、自動駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等細分市場的異構集成、芯粒、封裝尺寸和成本優(yōu)化等趨勢的推動，預計到2028年，SiP系統(tǒng)級封裝市場總收入將達到338億美元，年復合增長率為8.1%。天津SIP封裝供應商通信SiP在無線通信領域的應用較早，也是應用較為普遍的領域。

由于物聯(lián)網(wǎng)“智慧”設備的快速發(fā)展，業(yè)界對能夠在更小的封裝內(nèi)實現(xiàn)更多功能的系統(tǒng)級封裝 (SiP) 器件的需求高漲，這種需求將微型化趨勢推向了更高的層次：使用更小的元件和更高的密度來進行組裝。 無源元件尺寸已從 01005 （ 0.4 mm× 0.2 mm) 縮小到 008004（ 0.25 mm×0.125 mm) ，細間距錫膏印刷對 SiP 的組裝來說變得越來越有挑戰(zhàn)性。 對使用不同助焊劑和不同顆粒尺寸錫粉的 3 種錫膏樣本進行了研究； 同時通過比較使用平臺和真空的板支撐系統(tǒng)，試驗了是否可以單獨使用平臺支撐來獲得一致性較好的印刷工藝；并比較了激光切割和電鑄鋼網(wǎng)在不同開孔尺寸下的印刷結果。

淺談系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢及失效分析，半導體組件隨著各種消費性通訊產(chǎn)品的需求提升而必須擁有更多功能，組件之間也需要系統(tǒng)整合。因應半導體制程技術發(fā)展瓶頸，系統(tǒng)單芯片（SoC）的開發(fā)效益開始降低，異質整合困難度也提高，成本和所需時間居高不下。此時，系統(tǒng)級封裝（SiP）的市場機會開始隨之而生。 采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的優(yōu)勢，SiP，USI 云茂電子一站式微小化解決方案，相較于SoC制程，采用系統(tǒng)級封裝(SiP)的較大優(yōu)勢來自于可以根據(jù)功能和需求自由組合，為客戶提供彈性化設計。以較常見的智能型手機為例，常見的的功能模塊包括傳感器、Wi-Fi、BT/BLE、RF FEM、電源管理芯片…...等。而系統(tǒng)級封裝即是將這些單獨制造的芯片和組件共同整合成模塊，再從單一功能模塊整合成子系統(tǒng)，再將該系統(tǒng)安裝到手機系統(tǒng)PCB上。在固晶過程中，需要對芯片施加一定的壓力以確保其與基板之間的良好連接。

SiP 封裝種類，SiP涉及許多類型的封裝技術，如超精密表面貼裝技術（SMT）、封裝堆疊技術，封裝嵌入式技術、超薄晶圓鍵合技術、硅通孔（TSV）技術以及芯片倒裝（Flip Chip）技術等。 封裝結構復雜形式多樣。SiP幾種分類形式，從上面也可以看到SiP是先進的封裝技術和表面組裝技術的融合。SiP并沒有一定的結構形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復雜性，必須充分利用垂直方向來進一步擴展系統(tǒng)集成度，故3D成為實現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術。微晶片的減薄化是SiP增長面對的重要技術挑戰(zhàn)。深圳芯片封裝定制價格

SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體。深圳芯片封裝定制價格

PiP封裝的優(yōu)點：1）外形高度較低；2）可以采用標準的SMT電路板裝配工藝；3）單個器件的裝配成本較低。PiP封裝的局限性：（1）由于在封裝之前單個芯片不可以單獨測試，所以總成本會高（封裝良率問題）；（2）事先需要確定存儲器結構，器件只能有設計服務公司決定，沒有終端使用者選擇的自由。TSV，W2W的堆疊是將完成擴散的晶圓研磨成薄片，逐層堆疊而成。層與層之間通過直徑在10μm以下的細微通孔而實現(xiàn)連接。此種技術稱為TSV（Through silicon via）。與常見IC封裝的引線鍵合或凸點鍵合技術不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度更大、外形尺寸更小，并且較大程度上改善芯片速度和降低功耗，成為3D芯片新的發(fā)展方向。深圳芯片封裝定制價格