無(wú)引線縫合（Wireless Bonding）：1、定義，不使用金線連接芯片電極和封裝基板的方法。2、分類；3、TAB，① 工藝流程，使用熱棒工具，將劃片后的芯片Al焊盤(pán)（通過(guò)電鍍工藝形成Au凸點(diǎn)）與TAB引腳（在聚酰亞胺膠帶開(kāi)頭處放置的Cu引腳上鍍金而成）進(jìn)行熱黏合，使其鍵合到一起。② 特色，TAB引線有規(guī)則地排列在聚酰亞胺帶上，以卷軸的形式存放。4、FCB，F(xiàn)CB工藝流程：① 在芯片電極上形成金球凸點(diǎn)；② 將芯片翻轉(zhuǎn)朝下，與高性能LSI專門(mén)使用的多層布線封裝基板的電極對(duì)齊，然后加熱連接；③ 注入樹(shù)脂以填滿芯片與封裝基板之間的間隙（底部填充）；④ 在芯片背面貼上散熱片，在封裝基板外部引腳掛上錫球。系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。四川SIP封裝價(jià)位

晶圓級(jí)封裝（WLP）：1、定義，在晶圓原有狀態(tài)下重新布線，然后用樹(shù)脂密封，再植入錫球引腳，然后劃片將其切割成芯片，從而制造出真實(shí)芯片大小的封裝。注：重新布線是指在后段制程中，在芯片表面形成新的布線層。2、優(yōu)勢(shì)，傳統(tǒng)封裝中，將芯片裝進(jìn)封裝中的時(shí)候，封裝的尺寸都要大于芯片尺寸。WLP技術(shù)的優(yōu)勢(shì)是能夠?qū)崿F(xiàn)幾乎與芯片尺寸一樣大小的封裝。不只芯片是批量化制造，而且封裝也是批量化制造，可以較大程度上降低成本。WLP技術(shù)使用倒裝焊技術(shù)（FCB），所以被稱為FBGA（Flip Chip類型的BGA），芯片被稱為晶圓級(jí)CSP（Chip Size Package）。工藝流程，晶圓級(jí)封裝工藝流程：① 再布線工程（形成重新布線層的層間絕緣膜[中間介質(zhì)層]）；② 形成通孔和重新布線層（用來(lái)連接芯片和外部端子）；③ 形成銅柱，并在銅柱上面生成凸點(diǎn)；④ 用樹(shù)脂密封，再形成焊球并用劃片機(jī)切割成所需的芯片。廣東BGA封裝參考價(jià)SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無(wú)源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。

隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代越來(lái)越深入人心，不斷的開(kāi)發(fā)和研究有助于使SiP更接近SoC，降低成本，減少批量要求和初始投資，并在系統(tǒng)簡(jiǎn)化方面呈現(xiàn)積極趨勢(shì)。此外，制造越來(lái)越大的單片SoC的推動(dòng)力開(kāi)始在設(shè)計(jì)驗(yàn)證和可制造性方面遇到障礙，因?yàn)閾碛懈蟮男酒瑫?huì)導(dǎo)致更大的故障概率，從而造成更大的硅晶圓損失。從IP方面來(lái)看，SiP是SoC的未來(lái)替代品，因?yàn)樗鼈兛梢约奢^新的標(biāo)準(zhǔn)和協(xié)議，而無(wú)需重新設(shè)計(jì)。此外，SiP方法允許更快、更節(jié)能的通信和電力輸送，這是在考慮Si應(yīng)用的長(zhǎng)期前景時(shí)另一個(gè)令人鼓舞的因素。

SiP具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性 – 由于SiP與使用分立元件（如IC或無(wú)源器件）的PCB系統(tǒng)非常相似，因此它們至少具有相同的預(yù)期故障概率。額外的可靠性來(lái)自所涉及的封裝，這可以增強(qiáng)系統(tǒng)并為設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命。一個(gè)例子是使用模塑來(lái)封裝系統(tǒng)，從而保護(hù)焊點(diǎn)免受物理應(yīng)力的影響。天線集成 – 在許多無(wú)線應(yīng)用（藍(lán)牙、WiFi）中，都需要天線。在系統(tǒng)級(jí)封裝解決方案中，天線可以集成到封裝中，與RF IC的距離非常短，從而確保無(wú)線解決方案的更高性能。SIP是從封裝的立場(chǎng)出發(fā)，對(duì)不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。

SOC與SIP都是將一個(gè)包含邏輯組件、內(nèi)存組件、甚至包含無(wú)源組件的系統(tǒng)，整合在一個(gè)單位中。區(qū)別在于SOC是從設(shè)計(jì)的角度出發(fā)，將系統(tǒng)所需的組件高度集成到一塊芯片上；SIP是從封裝的立場(chǎng)出發(fā)，對(duì)不同芯片進(jìn)行并排或疊加的封裝方式，實(shí)現(xiàn)一定功能的單個(gè)標(biāo)準(zhǔn)封裝件。從某種程度上說(shuō)：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。SiP封裝基板半導(dǎo)體芯片封裝基板是封裝測(cè)試環(huán)境的關(guān)鍵載體，SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術(shù)特點(diǎn)，為芯片提供支撐，散熱和保護(hù)，同時(shí)提供芯片與基板之間的供電和機(jī)械鏈接。SiP 可以將多個(gè)具有不同功能的有源電子元件與可選無(wú)源器件。廣東BGA封裝參考價(jià)

先進(jìn)封裝的制造過(guò)程中，任何一個(gè)環(huán)節(jié)的失誤都可能導(dǎo)致整個(gè)封裝的失敗。四川SIP封裝價(jià)位

光電器件、MEMS 等特殊工藝器件的微小化也將大量應(yīng)用 SiP 工藝。SiP 發(fā)展的難點(diǎn)隨著 SiP 市場(chǎng)需求的增加，SiP 封裝行業(yè)的痛點(diǎn)也開(kāi)始凸顯，例如無(wú) SiP 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，缺少內(nèi)部裸片資源，SiP 研發(fā)和量產(chǎn)困難，SiP 模塊和封裝設(shè)計(jì)有難度。由于 SiP 模組中集成了眾多器件，假設(shè)每道工序良率有一點(diǎn)損失，疊乘后，整個(gè)模組的良率損失則會(huì)變得巨大，這對(duì)封裝工藝提出了非常高的要求。并且 SiP 技術(shù)尚屬初級(jí)階段，雖有大量產(chǎn)品采用了 SiP 技術(shù)，不過(guò)其封裝的技術(shù)含量不高，系統(tǒng)的構(gòu)成與在 PCB 上的系統(tǒng)集成相似，無(wú)非是采用了未經(jīng)封裝的芯片通過(guò) COB 技術(shù)與無(wú)源器件組合在一起，系統(tǒng)內(nèi)的多數(shù)無(wú)源器件并沒(méi)有集成到載體內(nèi)，而是采用 SMT 分立器件。四川SIP封裝價(jià)位