3D封裝結(jié)構(gòu)的主要優(yōu)點(diǎn)是使數(shù)據(jù)傳輸率更高。對(duì)于具有 GHz 級(jí)信號(hào)傳輸?shù)母咝阅軕?yīng)用，導(dǎo)體損耗和介電損耗會(huì)引起信號(hào)衰減，并導(dǎo)致低壓差分信號(hào)中的眼圖不清晰。信號(hào)走線設(shè)計(jì)的足夠?qū)捯缘窒鸊Hz傳輸?shù)募w效應(yīng)，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進(jìn)步伴隨著主要電壓較低的器件，這導(dǎo)致噪聲容限更小，較終導(dǎo)致對(duì)噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩(wěn)定參考電壓電平的先進(jìn)芯片的穩(wěn)定電源傳輸系統(tǒng)。SiP技術(shù)路線表明，越來越多的半導(dǎo)體芯片和封裝將彼此堆疊，以實(shí)現(xiàn)更深層次的3D封裝。安徽SIP封裝方案

封裝（Package），是把晶圓上切下來的裸片裝配為芯片較終產(chǎn)品的過程，簡單地說，就是把制造廠生產(chǎn)出來的集成電路裸片放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動(dòng)作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別、基底、外殼、引線材料，強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。SiP封裝是將不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存儲(chǔ)器等集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)一整個(gè)芯片系統(tǒng)。安徽SIP封裝方案SiP 封裝所有元件在一個(gè)封裝殼體內(nèi)，縮短了電路連接，見笑了阻抗、射頻、熱等損耗影響。

SIP工藝解析：引線鍵合，在塑料封裝中使用的引線主要是金線，其直徑一般0.025mm～0.032mm。引線的長度常在1.5mm～3mm之間，而弧圈的高度可比芯片所在平面高0.75mm。鍵合技術(shù)有熱壓焊、熱超聲焊等。等離子清洗，清洗的重要作用之一是提高膜的附著力。等離子體處理后的基體表面，會(huì)留下一層含氯化物的灰色物質(zhì)，可用溶液去掉。同時(shí)清洗也有利于改善表面黏著性。液態(tài)密封劑灌封，將已貼裝好芯片并完成引線鍵合的框架帶置于模具中，將塑封料的預(yù)成型塊在預(yù)熱爐中加熱，并進(jìn)行注塑。

SiP封裝工藝介紹，SiP封裝技術(shù)采取多種裸芯片或模塊進(jìn)行排列組裝，若就排列方式進(jìn)行區(qū)分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結(jié)構(gòu)。相對(duì)于2D封裝，采用堆疊的3D封裝技術(shù)又可以增加使用晶圓或模塊的數(shù)量，從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數(shù)，進(jìn)一步增強(qiáng)SiP技術(shù)的功能整合能力。而內(nèi)部接合技術(shù)可以是單純的線鍵合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先進(jìn)的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介層）將裸晶通過TSV（硅穿孔工藝）與基板結(jié)合。消費(fèi)電子目前SiP在電子產(chǎn)品里應(yīng)用越來越多，尤其是 TWS 耳機(jī)、智能手表、UWB 等消費(fèi)電子領(lǐng)域。

SiP 封裝種類，SiP涉及許多類型的封裝技術(shù)，如超精密表面貼裝技術(shù)（SMT）、封裝堆疊技術(shù)，封裝嵌入式技術(shù)、超薄晶圓鍵合技術(shù)、硅通孔（TSV）技術(shù)以及芯片倒裝（Flip Chip）技術(shù)等。 封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜形式多樣。SiP幾種分類形式，從上面也可以看到SiP是先進(jìn)的封裝技術(shù)和表面組裝技術(shù)的融合。SiP并沒有一定的結(jié)構(gòu)形態(tài)，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。由于2D封裝無法滿足系統(tǒng)的復(fù)雜性，必須充分利用垂直方向來進(jìn)一步擴(kuò)展系統(tǒng)集成度，故3D成為實(shí)現(xiàn)小尺寸高集成度封裝的主流技術(shù)。SiP 實(shí)現(xiàn)是系統(tǒng)的集成。浙江系統(tǒng)級(jí)封裝精選廠家

SIP發(fā)展趨勢(shì)，多樣化，復(fù)雜化，密集化。安徽SIP封裝方案

系統(tǒng)級(jí)封裝的優(yōu)勢(shì)，SiP和SoC之間的主要區(qū)別在于，SoC 將所需的每個(gè)組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構(gòu)組件并將它們連接到一個(gè)或多個(gè)芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內(nèi)存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個(gè)芯片上，然后將其封裝到單個(gè)芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節(jié)點(diǎn)（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨(dú)芯片，將它們連接并組合成單個(gè)封裝到單個(gè)基板（PCB）上。考慮到這一點(diǎn)，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術(shù)和封裝技術(shù)的進(jìn)步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個(gè)主要因素推動(dòng)了當(dāng)前用SiP取代SoC的趨勢(shì)：安徽SIP封裝方案