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山東陶瓷封裝方案

來源: 發布時間:2024-09-20

SiP封裝工藝介紹,SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝,若就排列方式進行區分可大體分為平面式2D封裝和3D封裝的結構。相對于2D封裝,采用堆疊的3D封裝技術又可以增加使用晶圓或模塊的數量,從而在垂直方向上增加了可放置晶圓的層數,進一步增強SiP技術的功能整合能力。而內部接合技術可以是單純的線鍵合(Wire Bonding),也可使用覆晶接合(Flip Chip),也可二者混用。目前世界上先進的3D SiP 采用 Interposer(硅基中介層)將裸晶通過TSV(硅穿孔工藝)與基板結合。SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環境的關鍵載體。山東陶瓷封裝方案

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3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區別在于:2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔,而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線,電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結構:所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合,XY平面之上設有貫穿芯片的TSV,XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接:芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊,將若干同類型芯片豎直疊放,并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成,見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成,如DRAM Stack和FLASH Stack。山東陶瓷封裝方案SiP 封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。

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SMT生產工藝挑戰:元件小型化,Chip元件逐步淘汰,隨著產品集成化程度越來越高,產品小型化趨勢不可避免,因此0201元件在芯片級制造領域受到微型化發展趨勢,將被逐步淘汰。Chip元件普及,隨著蘋果i-watch的面世,SIP的空間設計受到挑戰,伴隨蘋果,三星等移動設備的高標要求,01005 chip元件開始普遍應用在芯片級制造領域。Chip元件開始推廣,SIP工藝的發展,要求元件板身必須小型化,隨著集成的功能越來越多,PCB承載的功能將逐步轉移到SIP芯片上,這就要求SIP在滿足功能的前提下,還能降尺寸控制在合理范圍,由此催生出0201元件的推廣與應用。

SiP具有以下優勢:降低成本 – 通常伴隨著小型化,降低成本是一個受歡迎的副作用,盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規模經濟時,成本節約開始顯現,但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM(物料清單)開銷,這些因素都會受到很大影響,具體取決于系統。良率和可制造性 – 作為一個不斷發展的概念,如果有效地利用SiP專業知識,從模塑料選擇,基板選擇和熱機械建模,可制造性和產量可以較大程度上提高。SiP 封裝優勢:縮短產品研制和投放市場的周期。

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SIP封裝(System In a Package系統級封裝)是將多種功能晶圓,包括處理器、存儲器等功能晶圓根據應用場景、封裝基板層數等因素,集成在一個封裝內,從而實現一個基本完整功能的封裝方案。SIP封裝是一種電子器件封裝方案,將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內,從而實現一個基本完整的功能。應用在進行電子產品的制作中,電子器件的不同封裝方式影響器件的尺寸和設計方案。SIP封裝一般采用單列直插形式,按引腳數分類有2、3、4、5、6、7、8、9、10、12、16、20引腳。SiP 可將不同的材料,兼容不同的GaAs,Si,InP,SiC,陶瓷,PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。山東陶瓷封裝方案

在當前時代,Sip系統級封裝(System-in-Package)技術嶄露頭角。山東陶瓷封裝方案

根據國際半導體路線組織(ITRS)的定義: SiP(System-in-package)為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件,以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起,實現一定功能的單個標準封裝件,形成一個系統或者子系統。SiP技術特點:組件集成,SiP可以包含各種類型的組件,如:數字和模擬集成電路,無源元件(電阻、電容、電感),射頻(RF)組件,功率管理模塊,內存芯片(如DRAM、Flash),傳感器和微電機系統(MEMS)。山東陶瓷封裝方案