對于堆疊結構，可以區分如下幾種：芯片堆疊、PoP、PiP、TSV。堆疊芯片，是一種兩個或更多芯片堆疊并粘合在一個封裝中的組裝技術。這較初是作為一種將兩個內存芯片放在一個封裝中以使內存密度翻倍的方法而開發的。 無論第二個芯片是在頭一個芯片的頂部還是在它旁邊，都經常使用術語“堆疊芯片”。技術已經進步，可以堆疊許多芯片，但總數量受到封裝厚度的限制。芯片堆疊技術已被證明可以多達 24 個芯片堆疊。然而，大多數使用9 芯片高度的堆疊芯片封裝技術的來解決復雜的測試、良率和運輸挑戰。芯片堆疊也普遍應用在傳統的基于引線框架的封裝中，包括QFP、MLF 和 SOP 封裝形式。如下圖2.21的堆疊芯片封裝形式。隨著集成的功能越來越多，PCB承載的功能將逐步轉移到SIP芯片上。天津陶瓷封裝方式

汽車汽車電子是 SiP 的重要應用場景。汽車電子里的 SiP 應用正在逐漸增加。以發動機控制單元（ECU）舉例，ECU 由微處理器（CPU）、存儲器（ROM、RAM）、輸入/輸出接口（I/O）、模數轉換器（A/D）以及整形、驅動等大規模集成電路組成。各類型的芯片之間工藝不同，目前較多采用 SiP 的方式將芯片整合在一起成為完整的控制系統。另外，汽車防抱死系統（ABS)、燃油噴射控制系統、安全氣囊電子系統、方向盤控制系統、輪胎低氣壓報警系統等各個單元，采用 SiP 的形式也在不斷增多。山東系統級封裝行價SIP技術具有一系列獨特的技術優勢，滿足了當今電子產品更輕、更小和更薄的發展需求。

SiP具有以下優勢：小型化 – 半導體制造的一個極具影響力的元素是不斷小型化的能力。這一事實在物聯網設備和小工具的新時代變得越來越重要。但是，當系統中只有幾個組件可以縮小時，維護起來變得越來越困難。SiP在這里大放異彩，因為它可以提供更好的芯片集成和更緊密的無源集成。通過這種方式，SiP方法可以將給定系統的整體尺寸減小多達65%。簡化 – SiP方法允許芯片設計人員使用更抽象的構建模塊，從而具有更高的周轉率和整體更短的設計周期的優勢。此外，BOM也得到了簡化，從而減少了對已經經過驗證的模塊的測試。

系統級封裝的優勢，SiP和SoC之間的主要區別在于，SoC 將所需的每個組件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用異構組件并將它們連接到一個或多個芯片載波封裝中。例如，SoC將CPU，GPU，內存接口，HDD和USB連接，RAM / ROM和/或其控制器集成到單個芯片上，然后將其封裝到單個芯片中。相比之下，等效的SiP將采用來自不同工藝節點（CMOS，SiGe，功率器件）的單獨芯片，將它們連接并組合成單個封裝到單個基板（PCB）上。考慮到這一點，很容易看出，與類似的SoC相比，SiP的集成度較低，因此SiP的采用速度很慢。然而，較近，2.5D 和 3D IC、倒裝芯片技術和封裝技術的進步為使用 SiP 提供的可能性提供了新的視角。有幾個主要因素推動了當前用SiP取代SoC的趨勢：構成SiP技術的要素是封裝載體與組裝工藝。

SiP的未來趨勢和事例。人們可以將SiP總結為由一個襯底組成，在該襯底上將多個芯片與無源元件組合以創建一個完整的功能單獨封裝，只需從外部連接到該封裝即可創建所需的產品。由于由此產生的尺寸減小和緊密集成，SiP在MP3播放器和智能手機等空間受限的設備中非常受歡迎。另一方面，如果只要有一個組件有缺陷，整個系統就會變得無法正常工作，從而導致制造良率下降。盡管如此，推動SiP更多開發和生產的主要驅動力是早期的可穿戴設備，移動設備和物聯網設備市場。在當前的SiP限制下，需求仍然是可控的，其數量低于成熟的企業和消費類SoC市場。SiP并沒有一定的結構形態，芯片的排列方式可為平面式2D裝和立體式3D封裝。山東系統級封裝行價

Sip這種創新性的系統級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。天津陶瓷封裝方式

SiP 封裝優勢。在IC封裝領域，是一種先進的封裝，其內涵豐富，優點突出，已有若干重要突破，架構上將芯片平面放置改為堆疊式封裝，使密度增加，性能較大程度上提高，表示著技術的發展趨勢，在多方面存在極大的優勢特性，體現在以下幾個方面。SiP 實現是系統的集成。采用要給封裝體來完成一個系統目標產品的全部互聯以及功能和性能參數，可同時利用引線鍵合與倒裝焊互連技術以及別的IC芯片堆疊等直接內連技術，將多個IC芯片與分立有源和無源器件封裝在一個管殼內。天津陶瓷封裝方式