火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國(guó)***火星探測(cè)任務(wù)工程火星探測(cè)器*****孫澤洲介紹，為適應(yīng)火星的特殊環(huán)境，火星車將采用復(fù)合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結(jié)合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢(shì)，具有高導(dǎo)熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強(qiáng)度。其特性主要取決于碳化硅的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。因鋁碳化硅具有熱導(dǎo)率高、熱膨脹系數(shù)低（熱膨脹系數(shù)同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅方法

a、T/R模塊封裝：機(jī)載雷達(dá)天線安裝在飛機(jī)萬(wàn)向支架上，采用機(jī)電方式掃描，其發(fā)展的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)是從美國(guó)F-22開始應(yīng)用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測(cè)距離下表所示：圖三機(jī)載雷達(dá)探測(cè)距離

APG-80捷變波束雷達(dá)、多功能機(jī)頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、多功能綜合射頻系統(tǒng)、綜合式射頻傳感器系統(tǒng)、JSF傳感器系統(tǒng)等，所用T/R (發(fā)/收）模塊封裝技術(shù)日趨成熟，每個(gè)T/R模塊成本由研發(fā)初期的10萬(wàn)美元降至600-800美元，數(shù)年內(nèi)可降至約200美元，成為機(jī)載雷達(dá)的**部分。幾乎所有的美國(guó)參戰(zhàn)飛機(jī)都有安裝新的或更新AESA計(jì)劃，使其作戰(zhàn)效能進(jìn)一步發(fā)揮，在多目標(biāo)威脅環(huán)境中先敵發(fā)現(xiàn)、發(fā)射、殺傷，F(xiàn)-22機(jī)載AESA雷達(dá)可同時(shí)探測(cè)**目標(biāo)數(shù)分別為空中30 個(gè)、地面16個(gè)、探測(cè)范圍為360°全周向。 陜西大規(guī)模鋁碳化硅設(shè)計(jì)鋁碳化硅具有高比剛度、比強(qiáng)度、高尺寸穩(wěn)定性、低熱膨脹系數(shù)、高耐磨、耐腐蝕等優(yōu)異性能。

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡(jiǎn)單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產(chǎn)品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產(chǎn)品為**，其對(duì)于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢(shì)的當(dāng)代封裝業(yè)來(lái)講，有先天的劣勢(shì)。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產(chǎn)品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導(dǎo)熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結(jié)合，能滿足多功能特性及設(shè)計(jì)要求，具有高導(dǎo)熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優(yōu)異性能，是當(dāng)今芯片封裝的***型材料。目前已大量應(yīng)用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領(lǐng)域。

2、鋁碳化硅材料成型的關(guān)鍵技術(shù)：由于金屬所固有的物理和化學(xué)特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關(guān)鍵技術(shù)，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學(xué)反應(yīng)；增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)性差；增強(qiáng)材料在基體中的分布。

（1）、高溫下的不利化學(xué)反應(yīng)問(wèn)題：在加工過(guò)程中，為了確保基體的浸潤(rùn)性和流動(dòng)性，需要采用很高的加工溫度（往往接近或高于基體的熔點(diǎn)）。在高溫下，基體與增強(qiáng)材料易發(fā)生界面反應(yīng)，生成有害的反應(yīng)產(chǎn)物Al4C3，呈脆性，會(huì)成為鋁碳化硅材料整體破壞的裂紋源。因此控制復(fù)合材料的加工溫度是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。該問(wèn)題主要解決方法：①、盡量縮短高溫加工時(shí)間，使增強(qiáng)材料與基體界面反應(yīng)時(shí)間降低至比較低程度；②、通過(guò)提高工作壓力使增強(qiáng)材料與基體浸潤(rùn)速度加快；③、采用擴(kuò)散粘接法可有效地控制溫度并縮短時(shí)間。 高體分鋁碳化硅廣泛應(yīng)用于微電子的散熱基板中。

鋁碳化硅材料成型制造技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進(jìn)和發(fā)展，高效、低成本、批量生產(chǎn)的方法仍需研究開發(fā)，這將關(guān)系到鋁碳化硅材料的廣泛應(yīng)用和發(fā)展。當(dāng)前，現(xiàn)代制造技術(shù)的發(fā)展為鋁碳化硅復(fù)合材料的制備從理論研究到具體應(yīng)用提供了有力的保證。計(jì)算機(jī)技術(shù)、現(xiàn)代測(cè)試技術(shù)、新材料技術(shù)的完善，使復(fù)合材料的制備技術(shù)、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)必將是多學(xué)科、多種技術(shù)相“復(fù)合”的綜合過(guò)程。杭州陶飛侖是專業(yè)從事金屬陶瓷復(fù)合材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售一體型新材料公司。安徽鋁碳化硅產(chǎn)品介紹

杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復(fù)合材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅方法

鋁碳化硅研發(fā)較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。從產(chǎn)業(yè)化趨勢(shì)看，AlSiC可實(shí)現(xiàn)低成本的、無(wú)需進(jìn)一步加工的凈成形(net-shape )或需少量加工的近凈成形制造，還能與高散熱材料（金剛石、高熱傳導(dǎo)石墨等）的經(jīng)濟(jì)性并存集成，滿足：大批量倒裝芯片封裝微波電路模塊光電封裝所需材料的熱穩(wěn)定性及散溫度均勻性要求，同時(shí)也是大功率晶體管絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等器件的推薦封裝材料，提供良好的熱循環(huán)及可靠性。陜西標(biāo)準(zhǔn)鋁碳化硅方法

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；新材料技術(shù)研發(fā)；模具銷售；新型陶瓷材料銷售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷售；特種陶瓷制品銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。以下限分支機(jī)構(gòu)經(jīng)營(yíng)：一般項(xiàng)目：金屬材料制造；特種陶瓷制品制造；模具制造；金屬工具制造(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng))。的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。陶飛侖新材料始終關(guān)注電子元器件市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。