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遼寧硅二極管伏安特性

來源: 發布時間:2023-01-12

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件,它具有單向導電性能,在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接,構成不同功能的電路,可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能。我們可提供的二極管類型有:普通整流二極管,快恢復二極管,高效整流二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管、瞬態抑制二極管、穩壓二極管,開關二極管、觸發二極管等。只要不超過穩壓管電流的允許值,PN結就不會過熱損壞。遼寧硅二極管伏安特性

SBD的主要優點包括兩個方面:1)由于肖特基勢壘高度低于PN結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比PN結二極管低(約低0.2V)。2)由于SBD是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。SBD的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合于高頻應用。但是,由于SBD的反向勢壘較薄,并且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿,反向漏電流比PN結二極管大。 湖南大功率二極管伏安特性開關二極管具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點。

穩壓二極管,英文名稱Zener diode,又叫齊納二極管。利用PN結反向擊穿狀態,其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象,制成的起穩壓作用的二極管。 [1]  此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導體器件.在這臨界擊穿點上,反向電阻降低到一個很小的數值,在這個低阻區中電流增加而電壓則保持恒定,穩壓二極管是根據擊穿電壓來分檔的,因為這種特性,穩壓管主要被作為穩壓器或電壓基準元件使用。穩壓二極管可以串聯起來以便在較高的電壓上使用,通過串聯就可獲得更高的穩定電壓。

肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導體B為負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中*有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向為B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會產生從A→B的漂移運動,從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。 二極管的正向工作電流可達到幾十甚至幾百安培。

高壓SBD圖2肖特基二極管長期以來,在輸出12V~24V的SMPS中,次級邊的高頻整流器只有選用100V的SBD或200V的FRED。在輸出24V~48V的SMPS中,只有選用200V~400V的FRED。設計者迫切需要介于100V~200V之間的150VSBD和用于48V輸出SMPS用的200VSBD。近兩年來,美國IR公司和APT公司以及ST公司瞄準高壓SBD的巨大商機,先后開發出150V和200V的SBD。這種高壓SBD比原低壓SBD在結構上增加了PN結工藝,形成肖特基勢壘與PN結相結合的混合結構,如圖2所示。采用這種結構的SBD,擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區電阻率、外延層厚度和P+區的擴散深度,使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙,達到150V和200V。在正向偏置時,高壓SBD的PN結的導通門限電壓為,而肖特基勢壘的結電壓*約,故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。常用的高反壓開關二極管有RLS系列(表面封裝)和1SS系列(有引線塑封)。江蘇大功率二極管符號

紅外發光二極管有兩個引腳,通常長引腳為正極,短引腳為負極。遼寧硅二極管伏安特性

穩壓二極管的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中,前一種故障表現出電源電壓升高;后2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。正負極識別從外形上看,金屬封裝穩壓二極管管體的正極一端為平面形,負極一端為半圓面形。塑封穩壓二極管管體上印有彩色標記的一端為負極,另一端為正極。對標志不清楚的穩壓二極管,也可以用萬用表判別其極性,測量的方法與普通二極管相同,即用萬用表R×1k檔,將兩表筆分別接穩壓二極管的兩個電極,測出一個結果后,再對調兩表筆進行測量。在兩次測量結果中,阻值較小那一次,黑表筆接的是穩壓二極管的正極,紅表筆接的是穩壓二極管的負極。這里指的是指針式萬用表。數字萬用表由于測量電阻檔所用電池與紅黑表筆連接極性問題,測量二極管正負極結果與使用指針萬用表結果相反,即測量結果較小那一次,黑筆接的是穩壓二極管的負極,紅表筆接的是穩壓二極管的正極。遼寧硅二極管伏安特性

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