當PN結的反向偏壓較高時，會發生由于碰撞電離引發的電擊穿，即雪崩擊穿。存在于半導體晶體中的自由載流子在耗盡區內建電場的作用下被加速其能量不斷增加，直到與半導體晶格發生碰撞，碰撞過程釋放的能量可能使價鍵斷開產生新的電子空穴對。新的電子空穴對又分別被加速與晶格發生碰撞，如果平均每個電子（或空穴）在經過耗盡區的過程中可以產生大于1對的電子空穴對，那么該過程可以不斷被加強，**終達到耗盡區載流子數目激增，PN結發生雪崩擊穿。SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝，分別**400W、600W、1.5kW和3kW。重慶8000W瞬態抑制二極管應用

電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因，常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有，使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制，TVS（TransientVoltageSuppressor）或稱瞬態抑制二極管，是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品，其電路符號和普通穩壓二極管相同，外形也與普通二極管無異。重慶8000W瞬態抑制二極管應用當電路中通過的電流太大，可能會造成TVS炸裂，失效模式為開路。

參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓，當這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。

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TVS的電路符號與普通穩壓二極管相同。它的正向特性與普通二極管相同；反向特性為典型的PN結雪崩器件。在瞬態峰值脈沖電流作用***過TVS的電流，由原來的反向漏電流ID上升到IR時，其兩極呈現的電壓由額定反向關斷電壓VWM上升到擊穿電壓VBR，TVS被擊穿。隨著峰值脈沖電流的出現，流過TVS的電流達到峰值脈沖電流IPP。在其兩極的電壓被箝位到預定的比較大箝位電壓以下。爾后，隨著脈沖電流按指數衰減，TVS兩極的電壓也不斷下降，***恢復到起始狀態。這就是TVS抑制可能出現的浪涌脈沖功率，保護電子元器件的整個過程。瞬態電壓抑制二極管簡稱TVS，是一種二極管形式的高效能保護器件。遼寧8000W瞬態抑制二極管

TVS 的電路符號與普通穩壓二極管相同。重慶8000W瞬態抑制二極管應用

實際產品中，**常用的浪涌測試波形為1.2/50us和10/700us，如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下換算到其他波形呢，這就需要看Spec中的另一個曲線圖：通過上圖可以查出，1.2/50us波形所對應脈沖寬度50us，對應峰值功率為2200W左右。那么這種情況下，反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口，在共模時，浪涌發生器內阻為12歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口，在差模時，浪涌發生器內阻為2歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對稱信號端口，無論差模共模，浪涌發生器內阻為42歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出，一個TVS所能承受的比較大浪涌電壓，不僅與自身的參數相關(比較大承受功率、鉗位電壓等)，也和其在電路的位置息息相關(浪涌發生器的內阻值非常重要)。重慶8000W瞬態抑制二極管應用

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