氧化鋅壓敏電阻器的瓷體，屬于半導體，包括了94％-98％的氧化鋅和2-6％的添加劑(例如，氧化鉍、氧化鈷、氧化錳、氧化鎳、氧化銻、氧化硼、氧化鉻、氧化硅等氧化物)。但是，氧化鋅壓敏電阻器的表面電阻率低和存在氧化物顆粒，電鍍時容易產生金屬ni和sn鍍在瓷體上，即產生“爬鍍”現象，從而使兩個端電極短路，導致變阻器成為導體。為避免爬鍍現象的發生，一般需要對瓷體進行表面處理，使其表面絕緣化，且不易產生爬鍍。玻璃包封工藝，是一種常用的表面處理技術，具體是先制備玻璃粉，以玻璃粉為主要成分加入有機添加劑等制備成玻璃漿料，然后通過噴涂設備對產品進行多面多次的噴涂方式在電子元器件上包覆一層絕緣玻璃層。這種方法工藝不僅繁瑣、操作次數多，需要特定的噴涂設備和裝置，而且在噴涂漿料的過程中，容易出現漿料流掛、不均勻的現象，導致后續電鍍出現爬鍍、燒結后產品外觀出現凹坑、粘片、脫落等問題。高分子絕緣材料進行涂覆包裹的方法在實際生產中也需要特定的夾具和設備，操作要求高，對于小型化器件處理不利于操作。顯然，這兩種表面處理的使用方面受到了限制，并不適用于簡單、批量化處理電子元器件。壓敏電阻是一種性價比非常高的電路保護器件。壓敏電阻MOV價格

壓敏電阻導電機理：晶界由晶粒的邊界線和晶間相共同組成,也稱晶界相。多晶陶瓷的晶界是氣體和離子遷移的快速通道，也是摻雜物聚集的地方。從微觀結構看ZnO晶界層組分和結構的變化常會引起氧化物晶體的能帶畸變，這是在晶界處產生肖特基勢壘的根本原因,從而使ZnO壓敏電阻具有非線性電特性。同時，與氧的平衡壓相對應，晶粒邊界部分發生氧化或還原其空間電荷分布發生變化。具有自發介電極化的晶粒界面電荷在平衡狀態下因獲得離子或電子而中和,這些缺陷將影響ZnO壓敏電阻的穩定性。因此，晶界的性質對ZnO電阻的性能起決定性的使用ZnO壓敏電阻器的壓敏電壓和能量吸收能力以及老化性能等可以通過對晶界的控制而得到改善和提高。壓敏電阻MOV價格7d（7mm）壓敏電阻的通流量一般為1.2kA，高焦耳產品通流量一般為1.75kA。

研究結果表明，若壓敏電阻存在著制造缺陷，易發生早期失效，強度不大的電沖擊的多次作用也會加速老化過程，使老化失效提早出現。而氧化鋅壓敏電阻器出現暫態過電壓破壞則是一個短時間內造成器件損壞的情況，所謂的暫態過電壓破壞，指的是短時間內出現較強的暫態過電壓使電阻體穿孔，導致更大的電流而高熱起火，整個過程在較短時間內發生。按照氧化鋅壓敏電阻器失效后的表現情況來看，可以分成三種常見的失效狀態，即劣化、炸裂和穿孔。當表現為劣化狀態時，實物表現為使用萬用表測試壓敏電阻時出現漏電流增大情況，壓敏電壓下降，直至為零。當表現為炸裂情況時，則壓敏電阻器在抑制過電壓時將會發生陶瓷炸裂現象，非常明顯。當氧化鋅壓敏電阻器表現為穿孔情況時，則電阻器的陶瓷外層將會瞬間發生電擊穿，出現穿孔狀態。

壓敏電阻的優點：壓敏電阻可以根據需求制作成各種尺寸規格，有貼片型和插件型，也有塑封型壓敏電阻。插件型直徑尺寸有：5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm等。***的可變電阻電壓范圍：18V-1800V。多種浪涌承受能力：標準、高浪涌、超高浪涌大電流處理和能量吸收能力。單體通流量可達到70KA甚至更高。快反應時間低泄露電流多種引線形式：直、彎和其他特殊引線類型。多種包裝形式：散裝、卷裝包裝、卷包裝。高功率型：是指用于吸收周期出現的連續脈沖群的壓敏電阻器，例如并接在開關電源變換器上的壓敏電阻。

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25D（25mm）壓敏電阻的通流量一般為15kA。壓敏電阻MOV價格

壓敏電阻應用：壓敏電阻的Zv與電路總阻抗（包括浪涌源阻抗Zs）構成分壓器，因此壓敏電阻的限制電壓為V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以從正常時的兆歐級降到幾歐，甚至小于1Ω。由此可見Zv在瞬間流過很大的電流，過電壓大部分降落在Zs上，而用電器的輸入電壓比較穩定，因而能起到的保護作用。圖(3)所示特性曲線可以說明其保護原理。直線段是總阻抗Zs，曲線是壓敏電阻的特性曲線，兩者相交于點Q，即保護工作點，對應的限制電壓為V，它是使用了壓敏電阻后加在用電器上的工作電壓。Vs為浪涌電壓，它已超過了用電器的耐壓值VL，加上壓敏電阻后，用電器的工作電壓V小于耐壓值VL，從而有效地保護了用電器。不同的線路阻抗具有不同的保護特性，從保護效果來看，Zs越大，其保護效果就越好，若Zs=0，即電路阻抗為零，壓敏電阻就不起保護作用了。圖(4)所描述的曲線可以說明Zs與保護特性之間的關系。壓敏電阻MOV價格

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