在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護器件的響應速度要求較高。福建天線接口ESD保護元件應用

日常生活防靜電ESD防護，1保持皮膚濕潤，靜電如果頻繁找上你，很可能是因為你的皮膚缺水了。提高皮膚的濕潤度，可以更好地避免靜電的產生，也就避免了靜電給皮膚帶來疼痛感。2室內保持濕度，秋冬季節空氣濕度下降，導致靜電難以釋放，這就造成了身體靜電過多。在室內防靜電的比較好辦法就是增加空氣濕度，一般要求相對濕度在45%～65%。干燥季節要保持空氣濕度，可在室內放一盆水，讓水自然蒸發，或者使用加濕器調節室內濕度。3靜電釋放裝置，可選購市面上常見的靜電放電器、靜電釋放棒、靜電帶、靜電貼、除靜電鑰匙扣等。觸碰金屬部件時，先用小金屬物品（如：鑰匙、靜電放***）先接觸需接觸的位置，以達到消除靜電的目的。湖北HDMI接口ESD保護元件選型國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。

在高頻接口還可以采用電阻衰減網絡和LC濾波電路形成ESD保護。電阻衰減網絡在很寬的頻帶范圍都有較好的適應性，但是它在衰減ESD脈沖的同時，對高頻信號進行同比例衰減，改變了電路系統的增益分配，而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見，數百MHz以下的高頻接口很難使用濾波方法實現ESD防護，只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實現性。適用于高頻信號接口的ESD防護電路必須有很小的并聯結電容、較小的串聯電感和很快的響應速度，這對防護器件參數的選取、PCB布局的寄生參數控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求，實際實現起來并不簡單。

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測試過程中，電容會充電到數千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯到被測器件進行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數信號衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對其他物體產生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍。原因是金屬物件的電極效應使得人體放電的等效電阻***變小。單位面積的ESD防護能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）。

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案。北京天線接口ESD保護元件原理

ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”，也稱靜電放電。福建天線接口ESD保護元件應用

由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。福建天線接口ESD保護元件應用

上海來明電子有限公司主要經營范圍是電子元器件，擁有一支專業技術團隊和良好的市場口碑。公司自成立以來，以質量為發展，讓匠心彌散在每個細節，公司旗下TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容深受客戶的喜愛。公司秉持誠信為本的經營理念，在電子元器件深耕多年，以技術為先導，以自主產品為重點，發揮人才優勢，打造電子元器件良好品牌。來明電子立足于全國市場，依托強大的研發實力，融合前沿的技術理念，及時響應客戶的需求。