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北京天線接口ESD保護元件原理

來源: 發布時間:2023-08-24

ESD靜電的來源,在電子制造業中,靜電的來源是多方面的,如人體、塑料制品、有關的儀器設備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源,這主要有三個方面的原因:1、人體接觸面廣,活動范圍大,很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電,同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過器件放電;2、人體與大地之間的電容低,約為50一250pF,典型值為150PF,故少量的人體靜電荷即可導致很高的靜電勢;3、人體的電阻較低,相當于良導體,如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆,手指產生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆,故人體處于靜電場中也容易感應起電,而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。通過串聯的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。北京天線接口ESD保護元件原理

靜電的發生機制。由于不同原子的原子核對電子的束縛能力不同,物體相互靠近時,電子就會在物體之間發生轉移,從而導致電荷在物質系統之間的不均勻分布,打破原本的平衡狀態。所謂靜電,其實就是這些發生轉移、在某一物體上積累下來的電荷,而由這些電荷引發的諸多現象,如頭發炸毛、電腦屏幕粘上灰塵等,就是靜電現象。當我們活動時,身體、衣物會和地面、空氣等產生摩擦,使電子在它們之間發生轉移,從而使身體帶電。我們的鞋子大多是絕緣的橡膠底,身體累積的電荷不可能通過鞋導給大地,于是身體的電荷逐漸累積,也就產生了靜電。靜電現象在冬天比在夏天更為常見,這與不同濕度下空氣的導電能力有關。相對濕潤時,空氣中漂浮著大量微小液滴,可以轉移身體的一部分電荷,而冬天氣候干燥,室內外溫差更**的溫差會降低空氣相對濕度,因此摩擦帶來的電荷很容易積累起來。江蘇天線接口ESD保護元件電容ESD靜電保護元件可以做成陣列式,同時保護幾路數據線免遭ESD的損壞。

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展,從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小,氧化層進一步減薄,導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝,采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m),電源電壓越來越低(從15V到15V),IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如,現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件,采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC,使用InGaP、InP材料制作的光器件,高頻芯片中集成的MIM電容等,它們的靜電敏感電壓都在數百伏,低達100V,成為ESD高損傷率器件。

人體放電模型(HBM)法規:十九世紀時,人們曾用這種模型來調查礦坑中的氣體混合物事件。美國***標準MIL-STD-883的第3015.8號方法建立了一個簡化的等效電路,以及模擬人體模型需要的測試程序。另一個國際廣為使用的法規是ANSI/ESDA-JEDECJS-001:靜電放電敏感度測試。人體模型主要用在工廠生產環境中,另一個類似的法規IEC61000-4-2,是系統級的靜電測試法規,則是在在系統層級的測試。我國靜電放電對應的國標相對應的標準為GB/T17626.2。ESD放電具有高頻、快速放電特性,對防護器件的響應速度要求較高。

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時,防護器件將對高頻信號產生“壓縮”的限幅問題,此時可以采用以下優化設計方法,提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓,使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯法-n只二極管同向串聯,導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯,導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯穩壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯電容法-防護二極管串聯電容后,高頻信號通過二極管對電容充電,電容充電后對二極管提供偏壓,提升二極管的正向導通電樂。MM機器模型放電的波形與預料的家具模型波形相似,不同的是帶電電容較大。福建天線接口ESD保護元件應用

典型的機器模型對小電阻放電的波形, 峰值電流可達幾百安培,持續時間決定于放電通路的電感為幾百納秒。北京天線接口ESD保護元件原理

ESD保護,在將電纜移去或連接到網絡分析儀上時,防止靜電放電(ESD)是十分重要的。靜電可以在您的身體上形成且在放電時很容易損壞靈敏的內部電路元件。一次太小以致不能感覺出的靜電放電可能造成長久性損壞。為了防止損壞儀器,應采取以下措施:1、保證環境濕度。2、鋪設防靜電地板或地毯。3、使用離子風槍、離子頭、離子棒等設施,使在一定范圍內防止靜電產生。4、半導體器件應盛放在防靜電塑料盛器或防靜電塑料袋中,這種防靜電盛器有良好導電性能,能有效防止靜電的產生。當然,有條件的應盛放在金屬盛器內或用金屬箔包裝。5、操作人員應在手腕上帶防靜電手帶,這種手帶應有良好的接地性能,這種措施**為有效。北京天線接口ESD保護元件原理

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