人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產生的靜電電位有所不同。在干燥的季節，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產生的附著于人體上的靜電。靜電的產生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。ESD靜電保護元器件是為高速數據傳輸應用的I/O端口保護設計的器件。湖北按鍵接口ESD保護元件電壓

靜電可以引起電氣絕緣和電子元器件擊穿是否正確？這一表述是合理的，工作電壓可以做到幾萬元伏的，假如在電子元器件上邊一瞬間的話，便會擊穿里邊的一些電子器件。火花放電會造成**的，損害醫生和病人；在煤礦業，則會造成煤層氣，會造成職工傷亡，煤礦損毀。總而言之，靜電傷害起因于用電力工程和靜電火苗，靜電傷害中**明顯的是靜電充放電造成易燃物的著火和。靜電的危害：身體長期性在靜電輻射源下，會讓人煩躁不安、頭疼、胸悶氣短、呼吸不暢、干咳。在家庭生活之中，靜電不但化纖衣服有，腳底的毛毯、日常的塑膠用品、漆料家具直到各種各樣家用電器均很有可能發生靜電狀況。山東按鍵接口ESD保護元件電容因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。

高頻接口ESD防護電路的綜合設計法根據高頻電路的信號特征和ESD防護要求靈活選用各種防護器件、以及各種防護電路的組合形成防護效果好且高頻性能好的ESD防護電路。如TVS、開關二極管、R/L/C等元件以及二極管串并聯、匹配設計、濾波、隔離、衰減等措施可以同時使用在同一防護電路中，通過靈活的選擇搭配，并有效利用高頻電路的匹配手段設計***的防護電路。如圖4，電感!和TVS并聯在輸入端具有較好的ESD防護效果，其并聯諧振的高阻特性改善了端口的駐波性能，隔離電容和電阻衰減器也能起到ESD防護和改善駐波的作用。

降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。ESD靜電放電常見放電模型有：分別是HBM，MM, CDE。

ESD策略，ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設計ESD防護電路的基本指導思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態電壓抑制二極管TVS半導體閘流管瞬態抑制器件TSS、快速開關二極管等。MM機器模型放電的波形與預料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。山東按鍵接口ESD保護元件電容

硅基ESD保護器件的結電容與其工作電壓成反比關系。湖北按鍵接口ESD保護元件電壓

根據高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結構，防護器件的結電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發電壓)和箱位電壓(或二極管導通電壓)應大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應時間要小于被保護器件的響應時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向導通電壓，也可以直接選用低容值的快速開關二極管兩個反向并聯后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向導通電壓，應采用兩個快速開關二極管反向串聯后進行雙向ESD防護。湖北按鍵接口ESD保護元件電壓