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淺談表面功能微納結構及其加工方法：目前可以實現表面微納結構的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結構，該方法優勢在于精度高，得到的微納結構形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發現，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領域具有獨特優勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術可以實現納米尺寸結構的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術，等離子刻蝕技術是應用...

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據悉，蘋果公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節，可以...

電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術.電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變。經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10nm的精細線條結構。電子束光刻設備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應。微機電系統、微光電系統、生物微機電系統等是微納米技術的重要應用領域！焦作微納加工...

激光微納加工相比納秒激光器、連續激光器，飛秒激光加工是“冷加工”，其加工過程中幾近不會有熱：傳導。飛秒激光加工優勢在于：峰值能量高、加工精度高、對材料幾乎無熱損傷等，其具體加工方式包括：蝕刻、改性、切割、打孔、周雕刻以及集成電路光刻等。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高級的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務，面向國內...

作為前沿加工技術，飛秒激光加工具有熱影響區小、與材料相互作用呈非線性過程、超出衍射極限的高分辨率加工等特點，可以實現對各種材料的高質量、高精度微納米加工和三維微納結構制造。飛秒激光對材料的加工方式靈活多樣，既可實現增材、減材和等材制造，又能夠以激光直寫和激光并行加工的方式制備微納結構。其中，飛秒激光直寫通常用于復雜、不規則的微納結構加工，具有較高的空間分辨率、加工靈活性和自由度，然而鑒于其逐點加工的技術特點，加工效率較低；飛秒激光并行加工包括基于數字微鏡器件的光刻技術、空間光調制器和激光干涉加工等方法，具有較高的加工效率，但無法加工任意三維微結構。飛秒激光加工方式各有優缺點，可以...

光刻是微納加工技術中關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現了圖形從光刻板到基底的轉移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。微納制造的加工材料多種多樣。太原電...

微納加工技術具有高精度、科技含量高、產品附加值高等特點，能突顯一個國家工業發展水平，在推動科技進步、促進產業發展、提升生活品質等方面都發揮著重要作用。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，是國內少數擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一，可進行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺將面向國內外科研機構和企業提供全方面的開放服務，對半導體材料與器件的深入研發給予全方面支持，能夠為廣大科研單位和企業提供高質量檔次服務。微納加工技術的特點：多樣化。雅安石墨烯微納加工 刻蝕工藝：是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕...

刻蝕工藝：是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造高質量檔次的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務...

微納加工技術也可分為機械加工、化學腐蝕、能量束加工、復合加工、隧道掃描顯微技術加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象、添加和表面改性。例如，激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器...

基于掩模板圖形傳遞的光刻工藝可制作宏觀尺寸的微細結構，受光學衍射的極限，適用于微米以上尺度的微細結構制作，部分優化的光刻工藝可能具有亞微米的加工能力。例如，接觸式光刻的分辨率可能到達0.5μm，采用深紫外曝光光源可能實現0.1μm。但利用這種光刻技術實現宏觀面積的納米/亞微米圖形結構的制作是可欲而不可求的。近年來，國內外很多學者相繼提出了超衍射極限光刻技術、周期減小光刻技術等，力求通過曝光光刻技術實現大面積的亞微米結構制作，但這類新型的光刻技術尚處于實驗室研究階段。微納加工涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發展方向是微納器件與系統（MEMS）！佛山刻蝕微納加工 激光微納加工技術的...

當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現了納米尺度的光刻和橫向刻蝕，使得人工橫向量子限制的量子線與量子點的制作成為可能.同時，光子晶體概念的出現，使得納米平面加工工藝廣地應用到光介質材料...

在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態結構都是隨機的，而沒有固定的晶態結構。外延生長實質上是材料科學的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態結構相同或相似的晶態薄層。其他薄膜成膜方法，如電化學沉積、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法、自組裝法等，也都廣用于微納制作工藝中。不同的表面微納結構可以呈現出...

飛秒激光微納加工類型飛秒激光微納加工的類型可以分為激光燒蝕微加工以及雙光子聚合加工。激光燒蝕微加工利用其本身獨特的性質使材料瞬間蒸發，而不經歷熔化過程，具有優良的加工特性。雙光子聚合加工三維微納結構時利用飛秒激光聚焦點上發生的雙光子吸收效應，獲得比衍射極限還要小的光響應，可以在多種材料上進行微納米尺度的加工。對波長特定的激光來說，材料可分為吸收材料和透明材料。飛秒激光對于這些材料的作用機理都不相同。由于自由電子大量存在的緣故，金屬具有良好的導熱性和導電性。透明材料原本不會吸收這一波段，但是由于飛秒激光可以產生極高的光強，它使材料實現對激光的非線性吸收。微納加工平臺支持基礎信息器件與系統等多領域...

微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內部、從靜態到動態、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發展。探索新的測量原理、測試方法和表征技...

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家制造業水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域提供技術咨詢、器件設計、版圖設計、光刻、刻蝕、鍍膜等技術服務。微納加工技術的特點MEMS技術適合批量生產！邯鄲半導體微納加工2012年北京工業大學Duan等使用課題組自行研制的皮秒激光器對金屬鉬...

淺談表面功能微納結構及其加工方法：目前可以實現表面微納結構的加工方法主要有以下幾種。（1）光刻技術，利用電子束或激光光束可以得到加工尺寸在幾十納米的微納結構，該方法優勢在于精度高，得到的微納結構形狀可以得到很好的控制；（2）飛秒激光加工技術，由于飛秒激光具有不受衍射極限限制的特點，可以加工出遠小于光斑直徑的尺寸，研究人員通過試驗發現，采用飛秒激光加工出10nm寬的納米線，在微納加工領域具有獨特優勢。另外飛秒激光雙分子聚合技術可以實現納米尺寸結構的加工；（3）自組裝工藝，光刻與自組裝和刻蝕工藝結合，通過自組裝工藝，可以得到6nm左右的納米孔。（4）等離子刻蝕技術，等離子刻蝕技術是應用...

納秒和飛秒之間,皮秒激光微納加工應用獨具優勢！與傳統的微納加工技術相比，激光微納加工具有如下獨特的優點：非接觸加工不損壞工具、能量可調、加工方式靈活、可實現柔性加工等。其中全固態皮秒激光具有極窄的脈沖寬度(皮秒)、極高的峰值功率(兆瓦)以及優異的光束質量，被廣泛應用于各種金屬、非金屬材料的精密加工。研究表明，脈沖寬度高于10ps的皮秒激光加工過程中有明顯的熱效應存在，而且隨著激光與材料作用時間的增加，工件表面會產生微裂紋以及再鑄層；脈沖寬度低于5ps的皮秒激光與材料作用時會產生非線性效應，這對金屬材料的加工非常不利。因此，適合微納精密加工用的皮秒激光的脈沖寬度在5~10ps之間。為了提高加工效...

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發沉積（熱蒸發、電子束蒸發）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結合的混合方法，CVD和PEC...

微納加工MEMS器件設計：根據客戶需求，初步確定材料、工藝、和技術路線，并出具示意圖。版圖設計：在器件設計的基礎上，將客戶需求細化，并轉化成版圖設計。工藝設計：設計具體的工藝路線和實現路徑，生產工藝流程圖等技術要求。工藝流片：根據工藝設計和版圖設計，小批量試樣驗證。批量生產：在工藝流片的基礎上，進行批量驗證生產。MEMS微型傳感器及微機械結構圖：微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質量的制造業水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩...

微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統的優化設計、加工、組裝、系統集成與應用技術。微納加工按技術分類，主要分為平面工藝、探針工藝、模型工藝。本文主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝、圖形化工藝（光刻）、刻蝕工藝。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓...

微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環節的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域，致力于打造的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備，建立了一條實驗室研發線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸（部分8英寸），同時形成了一支與硬件有機結合的...

飛秒激光微納加工類型飛秒激光微納加工的類型可以分為激光燒蝕微加工以及雙光子聚合加工。激光燒蝕微加工利用其本身獨特的性質使材料瞬間蒸發，而不經歷熔化過程，具有優良的加工特性。雙光子聚合加工三維微納結構時利用飛秒激光聚焦點上發生的雙光子吸收效應，獲得比衍射極限還要小的光響應，可以在多種材料上進行微納米尺度的加工。對波長特定的激光來說，材料可分為吸收材料和透明材料。飛秒激光對于這些材料的作用機理都不相同。由于自由電子大量存在的緣故，金屬具有良好的導熱性和導電性。透明材料原本不會吸收這一波段，但是由于飛秒激光可以產生極高的光強，它使材料實現對激光的非線性吸收。在硅材料刻蝕當中，硅針的刻蝕需要用到各向同...

微納加工技術也可分為機械加工、化學腐蝕、能量束加工、復合加工、隧道掃描顯微技術加工等方法。機械加工方法包括單晶金剛石刀具的超精密切割、金剛石砂輪和CBN砂輪的超精密磨削和鏡面磨削、磨削、砂帶拋光等固定磨料工具的加工、磨削、拋光等自由磨料的加工。能束加工可以去除加工對象、添加和表面改性。例如，激光切割、鉆孔和表面硬化改性。光刻、焊接、微米和納米鉆孔、切割、離子和等離子體蝕刻等。能量束的加工方法還包括電火花加工、電化學加工、電解射流加工、分子束延伸等。微納加工是的技術，可以進行原子級操作和原子去除、添加和搬遷。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，面向半導體光電子器件、功率電子器...

電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術.電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變。經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10nm的精細線條結構。電子束光刻設備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應。光刻膠是微納加工中微細圖形加工的關鍵材料之一。湛江微納加工設備 微納加工...

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。微納加工平臺，主要是兩個方面：微納加工、微納檢測！半導體微納加工應用微納加工MEMS器件設計：根據客戶需求，...

隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發展.當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現了納...

隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發展.當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現了納...

微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質量的制造業水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點，在推動科技進步、促進產業發展、拉動科技進步、保障**安全等方面都發揮著關鍵作用。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系。微納加工大致可以分為“自上而下”和“自下而上”兩類。“自上而下”是從宏觀對象出發，以光刻工藝為基礎，對材料或原料進行加工，小結果尺寸和精度通常由光刻或刻蝕環節的分辨力決定。“自下而上”技術則是從微觀世界出發，通過控制原子、分子和其他納米對象的相互作用力將各種單元構建在一起，形成微納結構與器件。微...

隨著電子束光刻技術和電感耦合等離子體(ICP)刻蝕技術的出現，平面微納加工工藝正在推動以單電子器件與自旋電子器件為代標的新一代納米電子學的發展.當微納加工技術應用到光電子領域，就形成了新興的納米光電子技術，主要研究納米結構中光與電子相互作用及其能量互換的技術.納米光電子技術在過去的十多年里，一方面，以低維結構材料生長和能帶工程為基礎的納米制造技術有了長足的發展，包括分子束外延(MBE)、金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)和化學束外延(CBE)，使得在晶片表面外延生長方向(直方向)的外延層精度控制到單個原子層，從而獲得了具有量子尺寸效應的半導體材料;另一方面，平面納米加工工藝實現了納...

光刻是半導體制造中常用的技術之一，是現代光電子器件制造的基礎。然而，深紫外和極紫外光刻系統及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術，導致其價格都相對昂貴。因此，無掩模的高速制備法是微納結構制備的優先方法。在這些無掩模方法中，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰：一是與FIB和EBL相比，分辨率還不夠高。未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統！南陽微納加工工藝流...