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鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早，理論描述較為完善，其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）、中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）、低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。湖南有什么鋁碳化硅結構設計中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比...

3）、增強體SiC在基體中均勻分布的問題：按結構設計需求，使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關鍵技術之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法：①、對增強體SiC進行適當的表面處理，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當的合金元素改善基體的分散性；③、施加適當的壓力，使其分散性增大；④、施加外場(磁場,超聲場等)。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數等優異性能。河南質量鋁碳化硅好選擇除用作慣性器件外，光學/儀表級鋁基碳化硅還可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等...

AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業化生產積累經驗, 離規模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產品，在碳化硅預制件制備過程中，區別于氧化燒結法，所制備的碳化硅預制件無二氧化硅，對復合材料的熱導率無抑制作用，極大的提高了復合材料的熱導率，且極大低降低了加工成本。因鋁碳化硅具有熱導率高、熱膨脹系數低（熱膨脹系數同芯片材料相近），有效減少芯片和電路開裂的幾率。...

倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的高體分鋁碳化硅涵蓋50%-75%體分。浙江鋁碳化硅量大從優...

倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形，例如，AlSiC外殼產品有多個空腔，可容納多塊芯片，用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法，包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍，完全滿足FCP工藝要求。鋁碳化硅已經應用于飛機的油箱口蓋。江蘇使用鋁碳化硅產業化除用作慣性器件外，光學/儀表級鋁...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造（陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢，如燒結周期短（燒結周期縮短為1/4以內）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創新儲備技術將陸續產業化。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅熱膨脹系數較低，比剛度...

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。 AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料，為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金，尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、...

AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業化生產積累經驗, 離規模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位固化技術等問題。我們公司采用創新型制備工藝，可制備50%-75%體分的鋁碳化硅產品，在碳化硅預制件制備過程中，區別于氧化燒結法，所制備的碳化硅預制件無二氧化硅，對復合材料的熱導率無抑制作用，極大的提高了復合材料的熱導率，且極大低降低了加工成本。高體分鋁碳化硅廣泛應用于微波處理器的蓋板中。浙江高鋁碳化硅的作用和功效SiC顆粒與Al有良好的界...

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產品，才能在保障產品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設計原則，作為設計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產品圖紙、用途和使用環境郵件發送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產工藝原則，為您設計出產品圖，發回給您審核）： 1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應大于1.5/1000。 2.平面度：產品平面度可以做到0.75/1000。 3.表面光潔度：形狀簡單的產品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復雜的產品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度...

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。我司主要研制、生產低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。上海使用鋁碳化硅產業化 低體分鋁碳化硅的**應用領域——輕量...

中體分鋁碳化硅（SiC體積比35%-55%）：1、性能優勢及應用方向：（1）、高微屈服強度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達（110～120）MPa水平，是國產真空熱壓鈹材的5倍，且無毒，可確保慣性導航系統中陀螺儀有效屏蔽小幅震動，保證穩定性。（2）、高比強度、高比剛度：（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量，實現武器裝備的輕量化，高比剛度可保證零件的面型（如反射鏡鏡面）精度。（3）、低膨脹系數:（35%～55%）光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數（9～11）×10-6/K，可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩定的尺寸。（4）、高導熱...

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。 （1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料...

(2)、銑磨加工技術： 目前，切削加工是AlSiC復合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴重和難以獲得良好加工表面質量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結)在數控銑床上對工件進行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點，又同時具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時，又能保證加工表面質量。目前此種加工方法已經在鋁碳化硅材料成型過程中廣泛應用。 杭州陶飛侖制備的大尺寸結構件不僅材料性能優異，且大幅提高了材料的可加工性能。安徽質量鋁碳化硅原料熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般...

作為結構件或結構-功能一體化構件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛星的光機結構。例如，在高分辨率遙感衛星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復合材料制作其空間光學反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復雜輕量化結構，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結構，減輕重量，并***降低光機結構的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結構的時間常數和熱慣性，使結構更容易達到熱平衡，進而易于保持光學鏡面。另外，由于采用該復合材料的光機系統在大范圍高低溫交替變化下產生的熱...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點，其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機加工成形等問題，成為理想的封裝材料。鋁碳化硅已經應用于PW4...

鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產品，才能在保障產品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設計原則，作為設計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產品圖紙、用途和使用環境郵件發送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產工藝原則，為您設計出產品圖，發回給您審核）： 1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應大于1.5/1000。 2.平面度：產品平面度可以做到0.75/1000。 3.表面光潔度：形狀簡單的產品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復雜的產品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中，所需設備簡單，易于低成本制備，但產品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節，SiC承載量大，但較難實現材料的一次成形。高...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上，在合金熔點以上保溫，Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中，所需設備簡單，易于低成本制備，但產品的機械性能與熱性能略低，對基體合金的成分有較為嚴格的要求，浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節，SiC承載量大，但較難實現材料的一次成形。鋁...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K...

作為結構件或結構-功能一體化構件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛星的光機結構。例如，在高分辨率遙感衛星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復合材料制作其空間光學反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復雜輕量化結構，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結構，減輕重量，并***降低光機結構的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結構的時間常數和熱慣性，使結構更容易達到熱平衡，進而易于保持光學鏡面。另外，由于采用該復合材料的光機系統在大范圍高低溫交替變化下產生的熱...

碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅致密度超過99.7%。江蘇好的鋁碳化硅發展現狀目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封...

封裝金屬基復合材料的增強體有數種，SiC是其中應用**為***的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，**有利于實現凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分數(含量)及分布和粒度大小，以及Al合金成分等。依據兩相比例或復合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與 芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配。高體分鋁碳化硅生產工藝流程多采用真空壓力浸滲法。浙江大規模鋁碳化硅怎么樣AlSiC封裝材料產業化引起國內科研院所、...

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料，因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優異的力學性能和物理性能，被用于電子封裝構件材料，在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接，基體材料由于碳化硅顆粒的存在，導致其表面潤濕性能較差，無法滿足焊接功能要求，因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。鋁碳化硅可替代鋁合金、不銹鋼、鈦合金等用于高精度精密結構件中。湖南通用鋁碳化硅...

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數和優于鈹材的尺寸穩定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導航系統器件，被譽為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號慣性環形激光陀螺制導系統，并已形成美國的國軍標（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導彈的慣性導航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩定性的主要指標，而該種復合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩定性...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～35%）AlSiC剎車盤抗拉強度及彈性模量與鑄鐵差異不大，但由于其密度低，故其比強度及比模量可達鑄鐵的（2～4）倍；（3）、耐磨性好：（10%～35%）AlSiC復合材料能夠使制動盤具有更好的耐磨性，使用壽命**加長，減少運行保養成本；（4）、耐熱性好：鋁合金具有較大的熱容性和良好的導熱性（豐田制造發動機活塞導熱性比鑄鐵活塞導熱性提升4倍...

目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產品時多采用熔滲法，其實質是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預制件，其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。我司主要研制、生產低體分和高體分的金屬陶瓷復合材料。安徽鋁碳化硅產品介紹中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還...

火星大氣密度約為地球的百分之一，主要成分是二氧化碳。表面平均溫度大約為－60℃，比較低－123℃，比較高為27℃。中國***火星探測任務工程火星探測器*****孫澤洲介紹，為適應火星的特殊環境，火星車將采用復合記憶纖維、鋁基碳化硅、蜂窩夾層等多種材料制造。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數（含量）及分布和粒度大小，以及鋁合金成份。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數等優異性能。河北鋁碳化硅聯系人碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷...

(2)、銑磨加工技術： 目前，切削加工是AlSiC復合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴重和難以獲得良好加工表面質量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結)在數控銑床上對工件進行切削加工，具有磨削加工中多刃切削的特點，又同時具有和銑加工相似的加工路線，可以用于曲面、孔、槽的加工，在獲得較高加工效率的同時，又能保證加工表面質量。目前此種加工方法已經在鋁碳化硅材料成型過程中廣泛應用。 杭州陶飛侖可根據客戶產品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產品。浙江多功能鋁碳化硅產品介紹AESA由數以千計的T/R模塊（有...

作為結構件或結構-功能一體化構件，中體分鋁碳化硅可用于我國高分辨率遙感衛星的光機結構。例如，在高分辨率遙感衛星的詳查相機上，若采用這種高剛度、低膨脹的復合材料制作其空間光學反射鏡坯，不僅可近無余量地獲得整體性（無需連接）的復雜輕量化結構，而且由于剛度高、韌性好、可直接加工和裝配，故而可省去現用微晶玻璃反射鏡所必須的沉重的鏡框，從而簡化結構，減輕重量，并***降低光機結構的研制周期、難度和成本。同時，由于鋁碳化硅的熱擴散系數遠高于微晶玻璃，因此可大幅度減少小光機結構的時間常數和熱慣性，使結構更容易達到熱平衡，進而易于保持光學鏡面。另外，由于采用該復合材料的光機系統在大范圍高低溫交替變化下產生的熱...

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造（陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢，如燒結周期短（燒結周期縮短為1/4以內）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創新儲備技術將陸續產業化。高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。河南新型鋁碳化硅一體化...