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1、模塊電流規格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V...

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經觸發，即成通導狀態。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...

可控硅的工作原理是什么？ 可控硅分為單向可控硅、雙向可控硅，兩者原理分別是：單向可控硅：單向可控硅能在外部控制信號作用下由關斷變為導通，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷； 工作原理：可控硅實際上就是一個大功率的二極管,它與普通二極管的不同之處在于它多了一個控制極.普通二極管是正向電壓就導通,可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。 晶...

1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數。(3)額定通態平均電流(額定正向平均電流)IT在環境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平...

采用電子線路進行保護等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業吸收作用元件，為防止出現振蕩，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側、直流側，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間。吸收進行電路設計好方法選用無感電容，接線應盡量短。（5）吸收電路由硒堆和變容器等非線性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的，有時對時間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆...

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經觸發，即成通導狀態。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...

由此形成在腔502的壁上的熱氧化物層304可以在襯底和區域306的上表面上連續。在圖2e的步驟中，腔502被填充，例如直到襯底的上部水平或者直到接近襯底的上部水平的水平。為此目的，例如執行摻雜多晶硅的共形沉積。然后將多晶硅向下蝕刻至期望水平。因此在區域306的任一側上獲得兩個區域302。在圖2f的步驟中，去除位于襯底以及區域302和306的上表面上的可能元件，諸如層304的可接近部分。然后形成可能的層42和層40。通過圖2a至圖2f的方法獲得的結構30的變型與圖1的結構30的不同之處在于，區域306與區域302分離并且一直延伸到層40或可能的層42，并且該變型包括在區域306的任一側上的兩個區...

此外，單個溝槽可以被提供有例如至少在一側上的晶體管。此外，在所描述的實施例中，晶體管的n和p傳導類型、n和p溝道類型以及二極管的陰極和陽極可以同時反轉。上文已描述了具有各種變型的各種實施例。應當注意，本領域技術人員可以將這些各種實施例和變型的各種元件進行組合。后，基于上文給出的功能指示，所描述的實施例的實際實現在本領域技術人員的能力范圍內。根據以上詳細描述，可以對實施例進行這些和其他改變。通常，在所附權利要求中，所使用的術語不應被解釋為將權利要求限制于說明書和權利要求中公開的特定實施例，而是應被解釋為包括權利要求所要求保護的所有可能的實施例以及這樣的等同物的全部范圍。因此，權利要求不受本公開的...

這對晶閘管是非常危險的。開關引起的沖擊電壓分為以下幾類：（1）AC電源被切斷過電壓而產生例如，交流以及開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些系統過電壓問題由于我國變壓器內部繞組的分布進行電容、漏抗造成的諧振控制回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉運動速度越來越快過電壓能力越高，在空載情況下可以斷開回路設計將會有更高的過電壓。（2）直流側產生的過電壓如果截止電路的電感很大或者截止電路的電流值很大，就會產生較大的過電壓。這種情況經常出現在切斷負荷、導通晶閘管開路或快速熔斷器熔斷時，引起電流突變。（3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由...

一個實施例提供了包括一個或多個以上限定的結構的二極管。根據一個實施例，該二極管由一個或多個晶體管限定，晶體管具有在兩個溝槽之間延伸的至少一個溝道區域，一區域限定晶體管柵極。根據一個實施例，該二極管包括將溝道區域電連接到傳導層的接觸區域。根據一個實施例，一區域是半導體區域，溝道區域和一區域摻雜有相反的導電類型。根據一個實施例，該二極管包括漏極區域，漏極區域在兩個溝槽之間的溝道區域下方延伸，并且推薦地在溝槽下方延伸。根據一個實施例，漏極區域比溝道區域更少地被重摻雜。根據本公開的實施例，已知二極管結構的全部或部分的缺點被克服，并且正向電壓降和/或漏電流得到改善。附圖說明參考附圖，在下面以說明而非限制...

對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少，尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導體開關器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內外主要制作的大功率晶閘管都是應用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達6英寸，單閥片耐壓值**高可達11KV，的通流能力**高可達4500A。在該領域比較**的有瑞士的ABB以及國內的株洲南車時代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經在國外投入實際使用。其中GTO的單片耐壓可達，工況下通流...

4．可關斷晶閘管可關斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是，當門極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前，大功率可關斷晶閘管已廣用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K），結構與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構成。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以...

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig，由于足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高其電流放大系數a2，產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，并提高了PNP管的電流放大系數a1，產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0，因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態。式（1—1）中，在晶閘管導通后，1-（a1+a2）...

做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有關斷時間（toff）短、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI／dt）、能耐較高的電壓上升率（dv／dt）、抗干擾能力較好等特點。快速晶閘管的生產和應用都進展很快。目前，已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏，關斷時間為20微妙的大功率快速晶閘管，同時還做出了比較高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。其產品廣應用于大功率直流開關、大功率中頻感應加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調制器及直流電動車輛調速等領域。3．逆導晶閘管以往的為了便于調速采用直流供電，用直流開關動作增加或減小電路電阻，改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑...

對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少，尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導體開關器件中，晶閘管是具有**高耐壓容量與**大電流容量的器件。國內外主要制作的大功率晶閘管都是應用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，**大直徑可達6英寸，單閥片耐壓值**高可達11KV，的通流能力**高可達4500A。在該領域比較**的有瑞士的ABB以及國內的株洲南車時代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國外在普通晶閘管的基礎上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經在國外投入實際使用。其中GTO的單片耐壓可達，工況下通流...

晶閘管和可控硅，有什么區別？ 1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱晶閘管。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。 2、用處不一樣：可控硅（1）小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統。（2）功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。（3）大功率高頻可控硅通常用作工業中高頻熔煉爐等。三極管，晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的...

下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，*當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。（此處指的模擬表，電子式萬用表紅表筆與電池正極相連，模擬表紅表筆與電池負極相連）光控晶閘管晶閘管光控晶閘管（LightTriggeredThyristor——LTT），又稱光觸發晶閘管。國內也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。1．光控晶閘管的結構通常晶閘管有三個電極：控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光...

否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時，熱量來不及散發，使得結溫迅速升高，終將導致結層被燒壞。產生過電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發電路發生故障，控制系統發生故障等，以及交流電源電壓過高、過低或缺相，負載過載或短路，相鄰設備故障影響等。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管。埋銀保險石英砂內快速熔斷器，熔斷時間很短，它可以用來保護晶閘管。業績快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無同型號的晶閘管更換，可以通過選用中國與其工作性能設計參數相近的其他產品型號晶...

[7]二極管雙向觸發二極管將萬用表置于相應的直流電壓擋，測試電壓由兆歐表提供。[8]測試時，搖動兆歐表，萬同樣的方法測出VBR值。后將VBO與VBR進行比較，兩者的較為值之差越小，說明被測雙向觸發二極管的對稱性越好。[8]二極管瞬態電壓抑制二極管用萬用表測量管子的好壞對于單要極型的TVS，按照測量普通二極管的方法，可測出其正、反向電阻，一般正向電阻為4kΩ左右，反向電阻為無窮大。[8]對于雙向極型的瞬態電壓抑制二極管，任意調換紅、黑表筆測量其兩引腳間的電阻值均應為無窮大，否則，說明管子性能不良或已經損壞。[8]二極管高頻變阻二極管識別正、負極高頻變阻二極管與普通二極管在外觀上的區別是其色標顏色...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數據可根據試驗情況確定）。（2）小規格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產生附加發熱。（4）模塊不能當作隔離開關使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器...

5、其它要求（1）當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情況，可在模塊輸出端接一固定電阻，一般每相輸出電流不小于500mA（具體數據可根據試驗情況確定）。（2）小規格模塊主電極無螺釘緊固，極易掀起折斷，接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。（3）嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上，以防止接觸不良產生附加發熱。（4）模塊不能當作隔離開關使用。為保證安全，模塊輸入端前面需加空氣開關。（5）測量模塊工作殼溫時，測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器...

晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板，采用了采用全數字移相觸發集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優點功耗低，效率高等適用溫度-25℃～+45℃目錄1模塊特點2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯（1）本產品均采用全數字移相觸發集成電路，實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。（2）采用進口方形芯片，模塊壓降小、功耗低，效率高；采用進口貼片元件，保證觸發控制電路的可靠性；采用（DCB）陶瓷覆銅板，導熱性能好，熱循環負載次數高于國家標準近10倍；采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優良。（3）觸發控制電路、主電路...

1)斷態重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，其數值比正向轉折電壓小100V。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓，此電壓數值規定比反向擊穿電壓小100V。通常把UDRM與URRM中較小的一個數值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞，因而在選用的時候，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數。(3)額定通態平均電流(額定正向平均電流)IT在環境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下，晶閘管元件可以連續通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內)的平...

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發生損壞器件的事故。影響串聯運行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個：1、靜態伏安特性對靜態均壓的影響。不同元件的伏安特性差異較大，串聯使用時會使電壓分配不均衡。同時，半導體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結溫也會使均壓性能受到影響。[1]2、關斷電荷和開通時間等動態特性對動態均壓的影響。晶閘管串聯運行，延遲時間不同，門極觸發脈沖的大小不同，都會導致閥片的開通適度不同。閥片的開通速度不同，會引起動態電壓的不均衡。同時關斷時間的差異也會造成各晶閘管不同時關斷的現象。關斷電荷少，則易關斷，關斷時間也短，先關斷的元件必然承受**高的動態電壓。[1]晶閘管串聯...

⑿脈沖輸出：六路帶調制的觸發脈沖隔離輸出;脈沖寬度：2個20°寬脈沖列、間隔60°;脈沖調制頻率10KHZ;各相脈沖不對稱度：≤°;脈沖電流峰值：>800mA⒀PID動態響應時間≤10ms，超調量≤1%。⒁有回零保護、軟起動、急停功能。⒂比較大外形尺寸：235㎜×180㎜×50㎜。三相晶閘管觸發板三相晶閘管觸發板應用技術編輯◆獨有三相不平衡自動調整功能，有效提高電能利用效率。◆先進的數字控制技術，改善了電網功率因數，可以有效節省用電量。◆具有移相觸發與過零觸發雙重工作模式，撥動選擇開關，即可輕松實現轉換。◆多種控制信號輸入：DC4~20mA、DC0~10mA、DC1~5V、DC0~10V、開關...

可控硅又稱晶閘管（SiliconControlledRectifier,SCR）。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶可控硅閘管、快速晶閘管，等等。可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具...

且在門極伏安特性的可靠觸發區域之內；④應有良好的抗干擾能力、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯電路中，要求串聯的元件同一時刻導通，宜采用強觸發的形式。[1]晶閘管觸發方式主要有三種：①電磁觸發方式，將低電位觸發信號經脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發方式成本較低，技術比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時觸發時的電磁干擾較大。②直接光觸發方式，將觸發脈沖信號轉變為光脈沖，直接觸發高位光控晶閘管。這種觸發方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發方式，利用光纖通信的方...

他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。主要用途/晶閘管編輯普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現在我畫一個**簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a）〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c）及（d）〕，可以看到，只...

它由電源變壓器、電源穩壓電路、三相同步電路及處理模塊、數字調節器、數字觸發器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉換電路、按鍵參數設定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發板技術參數⑴主電路閥側額定工作線電壓：≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源：單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號：三相同步,AC380V，50HZ，電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號：DC0∽10V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤10V，其他需定制(5)IF電流反饋信號：DC0∽5V，內阻抗≥20KΩ，反饋信號比較大共模電壓≤5V，其...

1、模塊電流規格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V...