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并且大墻板和小墻板之間設(shè)置有定距管，同時(shí)大墻板和小墻板上固定有放料座，所述放料座上設(shè)置有放卷，且放卷上設(shè)置有薄膜，并且薄膜通過(guò)放卷通過(guò)鋁導(dǎo)輥與彎輥相連接，所述彎輥上的薄膜通過(guò)第二鋁導(dǎo)輥與第二彎輥相連接，且第二鋁導(dǎo)輥和第二彎輥之間的下方設(shè)置有蒸發(fā)源，所述第二彎輥上的薄膜與水冷輥相連接，且水冷輥上的薄膜通過(guò)第三鋁導(dǎo)輥與張力輥相連接，并且薄膜通過(guò)張力輥與第四鋁導(dǎo)輥相連接，所述第四鋁導(dǎo)輥上的薄膜與擺架上的第五鋁導(dǎo)輥相連接，且第五鋁導(dǎo)輥上的薄膜與第三彎輥相連接，所述第三彎輥上的薄膜通過(guò)第六鋁導(dǎo)輥與第七鋁導(dǎo)輥相連接，且第七鋁導(dǎo)輥上的薄膜與收卷相連接，并且收卷安裝在收料座上，同時(shí)收料座安裝在大墻板和小墻板之...

包括殘留的脫模劑就會(huì)向塑膠表面遷移，在這種狀態(tài)下，如果底漆的封閉性不好，同塑膠一樣也存在毛細(xì)微孔，殘留的小分子化合物通過(guò)這些毛細(xì)微孔對(duì)真空電鍍層進(jìn)行沖擊，一般發(fā)生在由負(fù)壓變成常壓的狀態(tài)下，在底漆和真空電鍍金屬層之間產(chǎn)生微觀隔離地帶，直接影響底漆和真空電鍍層的附著力，這種天生的附著力欠缺，在沒(méi)有進(jìn)行面漆涂裝時(shí)并沒(méi)有馬上表現(xiàn)出來(lái)，而是表現(xiàn)在涂裝面漆之后，有時(shí)后掉漆馬上出現(xiàn)，有時(shí)候要等3-7天以后，應(yīng)該理解為：小分子殘留化合物需要時(shí)間通過(guò)毛細(xì)微孔，面漆的后反應(yīng)過(guò)程加長(zhǎng)使得應(yīng)力積累慢慢增強(qiáng)。通過(guò)底漆封閉基材,防止真空電鍍時(shí)基材中揮發(fā)性物質(zhì)遷移,影響電鍍質(zhì)量.涂層封閉性影響因素：油漆配方：固體量，流平性...

所述滑桿遠(yuǎn)離所述固定座的一端固定安裝傳感觸頭，所述滑桿另一端固定連接伸縮桿和止動(dòng)板，所述止動(dòng)板滑動(dòng)連接所述導(dǎo)桿，所述止動(dòng)板和所述支撐板之間的導(dǎo)桿上套設(shè)壓縮彈簧。所述氣缸端部和密封導(dǎo)套之間固定連接密封裝置，提高密封性能。所述密封裝置為密封蓋及其固定內(nèi)部膠封，提高密封性能。所述密封蓋和所述氣缸端部之間設(shè)有支撐座。所述彈簧為圓柱螺旋壓縮彈簧。本實(shí)用新型工作原理是：固定座設(shè)置在卷繞鍍膜機(jī)的真空室內(nèi)，法蘭盤(pán)作為基座固定在真空室的外壁上，殼體在該處設(shè)有貫穿通孔，利用氣缸的伸縮桿伸縮運(yùn)動(dòng)，帶動(dòng)傳感觸頭前伸測(cè)量膜層及鍍層上的電阻值，測(cè)量完收回，其中，止動(dòng)板前伸擠壓彈簧，減緩傳感觸頭運(yùn)動(dòng)的速度，也限定傳感觸頭運(yùn)...

簡(jiǎn)介真空鍍膜在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。蒸發(fā)鍍膜通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜。這種方法**早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。蒸發(fā)鍍膜設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1。蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃...

圖1[蒸發(fā)鍍膜設(shè)備示意圖]）電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應(yīng)加熱源：用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。③電子束加熱源：適用于蒸發(fā)溫度較高（不低于2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟龋练e在基片上的分子可以徙動(dòng)，...

什么是光學(xué)鍍膜：光學(xué)鍍膜是指在光學(xué)零件表面上鍍上一層(或多層)金屬(或介質(zhì))薄膜的工藝過(guò)程。在光學(xué)零件表面鍍膜的目的是為了達(dá)到減少或增加光的反射、分束、分色、濾光、偏振等要求。常用的鍍膜法有真空鍍膜(物理鍍膜的一種)和化學(xué)鍍膜。光學(xué)鍍膜原理：1-1真空鍍膜真空鍍膜：真空鍍膜主要是指需要在更高真空下進(jìn)行的涂料，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等多種涂料，所以。蒸發(fā)和濺射有兩種主要類(lèi)型。將被鍍材料制成基材，將電鍍材料用作靶材或藥材。襯底處于與靶相同的真空中。蒸發(fā)涂層通常是加熱目標(biāo)，以使表面組分以自由基或離子的形式蒸發(fā)，并通過(guò)成膜方法（散射島結(jié)構(gòu)-梯形結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng)）...

是在真空蒸發(fā)和真空濺射基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新的鍍膜技術(shù)。離子鍍的英文全稱(chēng)IonPlating，簡(jiǎn)稱(chēng)IP。它是在真空條件下，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨稀?972年，Banshah提出了在真空放電蒸鍍時(shí)，導(dǎo)入反應(yīng)氣體生成化合物的方法，即（活性反應(yīng)蒸鍍法）（簡(jiǎn)稱(chēng)ARE法）。與此同時(shí)，在離子鍍時(shí)代替氬氣導(dǎo)入一部分反應(yīng)氣體生成化合物薄膜，形成了反應(yīng)性離子鍍法（簡(jiǎn)稱(chēng)RIP法）等等。根據(jù)不同膜材的氣化方式和離化方式，可構(gòu)成不同類(lèi)型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有：電阻加熱，電子束加熱，等離子電子束加熱，高...

通帶以外的光截止，其光學(xué)指標(biāo)主要是中心波長(zhǎng)（CWL），半帶寬（FWHM)，分為窄帶和寬帶，比如窄帶濾光片短波通型(又叫低波通)：短于選定波長(zhǎng)的光通過(guò)，長(zhǎng)于該波長(zhǎng)的光截止，比如紅外截止濾光片長(zhǎng)波通型(又叫高波通)：長(zhǎng)于選定波長(zhǎng)的光通過(guò)，短于該波長(zhǎng)的光截止，比如紅外透過(guò)濾光片四、IR-CUT雙濾光片的使用可以有效解決雙峰濾光片產(chǎn)生問(wèn)題，IR-CUT雙濾光片由一個(gè)紅外截止濾光片和一個(gè)全光譜光學(xué)玻璃構(gòu)成，當(dāng)白天的光線充分時(shí)紅外截止濾光片工作，CCD還原出真實(shí)彩色，當(dāng)夜間光線不足時(shí)，紅外截止濾光片自動(dòng)移開(kāi)，全光譜光學(xué)玻璃開(kāi)始工作，使CCD充分利用到所有光線，從而**提高了低照性能，IRCUT雙濾光片專(zhuān)為...

種類(lèi)繁多的塑料或其他高分子材料作為工程裝飾性結(jié)構(gòu)材料，大量應(yīng)用于汽車(chē)、家電、日用包裝、工藝裝飾等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外觀不夠華麗、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可增加材料表面耐磨性能，拓寬了塑料的裝飾性和應(yīng)用范圍。真空鍍膜的功能是多方面的，這也決定了其應(yīng)用場(chǎng)合非常豐富。總體來(lái)說(shuō)，真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果，在薄膜材料上使膜層具有出色的阻隔性能，提供優(yōu)異的電磁屏蔽和導(dǎo)電效果。蒸發(fā)鍍膜通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜。這種方法早由M.法拉第于1857年提出，現(xiàn)代...

離子源（英文名稱(chēng)：Ionsource）是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是各種類(lèi)型的離子加速器、質(zhì)譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機(jī)、離子束刻蝕裝置、離子推進(jìn)器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設(shè)備的不可缺少的部件。氣體放電、電子束對(duì)氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質(zhì)濺射以及表面電離過(guò)程都能產(chǎn)生離子，并被引出成束。根據(jù)不同的使用條件和用途，已研制出多種類(lèi)型的離子源。使用較廣的有弧放電離子源、PIG離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過(guò)程為基礎(chǔ)的,常被籠統(tǒng)地稱(chēng)為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來(lái)產(chǎn)生離子的，也有很廣的用途。新型重離子源的出現(xiàn)，使...

真空鍍膜機(jī)主要分類(lèi)主要分類(lèi)有兩個(gè)大種類(lèi)：蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類(lèi)，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等。一、對(duì)于蒸發(fā)鍍膜：一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來(lái)。厚度均勻性主要取決于：1?；牧吓c靶材的晶格匹配程度2、基片表面溫度3.蒸發(fā)功率，速率4.真空度5.鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。晶向均勻性：1。晶格匹配度2?；瑴囟?。蒸發(fā)速率濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參...

通帶以外的光截止，其光學(xué)指標(biāo)主要是中心波長(zhǎng)（CWL），半帶寬（FWHM)，分為窄帶和寬帶，比如窄帶濾光片短波通型(又叫低波通)：短于選定波長(zhǎng)的光通過(guò)，長(zhǎng)于該波長(zhǎng)的光截止，比如紅外截止濾光片長(zhǎng)波通型(又叫高波通)：長(zhǎng)于選定波長(zhǎng)的光通過(guò)，短于該波長(zhǎng)的光截止，比如紅外透過(guò)濾光片四、IR-CUT雙濾光片的使用可以有效解決雙峰濾光片產(chǎn)生問(wèn)題，IR-CUT雙濾光片由一個(gè)紅外截止濾光片和一個(gè)全光譜光學(xué)玻璃構(gòu)成，當(dāng)白天的光線充分時(shí)紅外截止濾光片工作，CCD還原出真實(shí)彩色，當(dāng)夜間光線不足時(shí)，紅外截止濾光片自動(dòng)移開(kāi)，全光譜光學(xué)玻璃開(kāi)始工作，使CCD充分利用到所有光線，從而**提高了低照性能，IRCUT雙濾光片專(zhuān)為...

Ta靶、鍺靶、Ge靶、銀靶、Ag靶、鈷靶、Co靶、金靶、Au靶、釓靶、Gd靶、鑭靶、La靶、釔靶、Y靶、鈰靶、Ce靶、鉿靶、Hf靶、鉬靶、Mo靶、鐵鎳靶、FeNi靶、V靶、W靶、不銹鋼靶、鎳鐵靶、鐵鈷靶、鎳鉻靶、銅銦鎵靶、鋁硅靶NiCr靶等金屬靶材。陶瓷靶材2.陶瓷靶材ITO靶、AZO靶，氧化鎂靶、氧化鐵靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、硫化鎘靶，硫化鉬靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶，五氧化二鉭靶，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、氟化鎂靶，硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼...

卷繞鍍膜機(jī)的主要特點(diǎn)：1、卷饒系統(tǒng)采用高精度支流或交流變頻調(diào)速，具有運(yùn)行平穩(wěn)、速度高、對(duì)原卷材不劃傷、不折皺，收卷端面整齊等特點(diǎn)；2、張力控制采用進(jìn)口數(shù)字張力控制系統(tǒng)，具有張力、線速度恒定，動(dòng)作快速的特點(diǎn)；3、各組送絲由微機(jī)電機(jī)控制，可總調(diào)或單獨(dú)調(diào)速，并有速度顯示；4、真空系統(tǒng)配置精良，抽氣速度快，采用PLC控制；5、配備大功率電源，鍍膜效率高，膜層均勻性好。蒸發(fā)、磁控系列卷繞鍍膜設(shè)備主要用于在塑料、布、紙、金屬箔等帶狀材料表面鍍制金屬膜。產(chǎn)品用于包裝、印刷、防偽、紡織、電子工業(yè)和建材行業(yè)等領(lǐng)域。本系列設(shè)備具有運(yùn)行平穩(wěn)、收放鍍膜平齊、膜層均勻、生產(chǎn)周期短、能耗低、操作維護(hù)方便。卷繞鍍膜機(jī)在購(gòu)買(mǎi)...

許多人在使用真空鍍膜設(shè)備的時(shí)候，不重視真空鍍膜設(shè)備的清洗，導(dǎo)致了真空鍍膜設(shè)備出現(xiàn)很多問(wèn)題，下面真空鍍膜設(shè)備廠家分析清潔方案。1.油擴(kuò)散泵真空系統(tǒng)是使用的真空系統(tǒng)，其獲得真空度范圍為1.3*10-3~1.3*10-5Pa。油擴(kuò)散泵真空系統(tǒng)構(gòu)成的各類(lèi)真空鍍膜設(shè)備，常見(jiàn)的故障是真空度抽不上去或真空度抽不到原來(lái)的極限壓力水平。真空度抽不上去的原因需要仔細(xì)分析，可能是活動(dòng)密封處松動(dòng)、焊縫漏氣、真空泵或真空閥門(mén)等元件損壞等原因所導(dǎo)致。此外，真空室內(nèi)壁的油蒸汽污染，真空工藝過(guò)程各種污染物的污染也可能是主要原因。防止的方法是：定期清洗真空室。定期對(duì)油封機(jī)械真空泵和油金屬擴(kuò)散泵進(jìn)行清理。2.真空鍍膜器材由許多不...

CVD直接生長(zhǎng)技術(shù)高效碳納米管鎳氫電池的研究采用熱化學(xué)氣相沉積技術(shù)(CVD)，在泡沫鎳表面直接生長(zhǎng)多壁碳納米管(MWNT)，以此MWNT-泡沫鎳基底為電池集流體，并使用該基底、通過(guò)大批量微細(xì)刀具HFCVD涂層制備的溫度場(chǎng)仿真與試驗(yàn)分析本文以HFCVD沉積大批量微細(xì)刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對(duì)象，利用有限容積法的仿真方法，對(duì)影響基體溫度場(chǎng)的多個(gè)工藝參數(shù)進(jìn)行仿真大批量微細(xì)刀具HFCVD涂層制備的溫度場(chǎng)仿真與試驗(yàn)分析本文以HFCVD沉積大批量微細(xì)刀具金剛石涂層系統(tǒng)為研究對(duì)象，利用有限容積法的仿真方法，對(duì)影響基體溫度場(chǎng)的多個(gè)工藝參數(shù)進(jìn)行仿真正交電磁場(chǎng)離子源及其在PVD法制備硬質(zhì)涂層中的應(yīng)用本文介紹幾種不...

所述滑桿遠(yuǎn)離所述固定座的一端固定安裝傳感觸頭，所述滑桿另一端固定連接伸縮桿和止動(dòng)板，所述止動(dòng)板滑動(dòng)連接所述導(dǎo)桿，所述止動(dòng)板和所述支撐板之間的導(dǎo)桿上套設(shè)壓縮彈簧。所述氣缸端部和密封導(dǎo)套之間固定連接密封裝置，提高密封性能。所述密封裝置為密封蓋及其固定內(nèi)部膠封，提高密封性能。所述密封蓋和所述氣缸端部之間設(shè)有支撐座。所述彈簧為圓柱螺旋壓縮彈簧。本實(shí)用新型工作原理是：固定座設(shè)置在卷繞鍍膜機(jī)的真空室內(nèi)，法蘭盤(pán)作為基座固定在真空室的外壁上，殼體在該處設(shè)有貫穿通孔，利用氣缸的伸縮桿伸縮運(yùn)動(dòng)，帶動(dòng)傳感觸頭前伸測(cè)量膜層及鍍層上的電阻值，測(cè)量完收回，其中，止動(dòng)板前伸擠壓彈簧，減緩傳感觸頭運(yùn)動(dòng)的速度，也限定傳感觸頭運(yùn)...

限制夏季室外的二次熱輻射進(jìn)入室內(nèi)，南方、北方都適用。因其具有豐富的裝飾效果和室外視線遮陽(yáng)作用，適用于各類(lèi)建筑物。雙銀LowE玻璃雙銀LowE玻璃突出了玻璃對(duì)太陽(yáng)熱輻射的遮陽(yáng)效果，將玻璃的高透光性與太陽(yáng)熱輻射的低透過(guò)性巧妙地結(jié)合在一起，有較高的可見(jiàn)光透過(guò)率，可有效地限制夏季室外的背景熱輻射進(jìn)入室內(nèi)。相關(guān)概念鏡頭鏡頭在影視中有兩指，一指電影攝影機(jī)、放映機(jī)用以生成影像的光學(xué)部件，由多片透鏡組成。各種不同的鏡頭，各有不同的造型特點(diǎn)，它們?cè)跀z影造型上的應(yīng)用，構(gòu)成光學(xué)表現(xiàn)手段；二指從開(kāi)機(jī)到關(guān)機(jī)所拍攝下來(lái)的一段連續(xù)的畫(huà)面，或兩個(gè)剪接點(diǎn)之間的片段，也叫一個(gè)鐿頭。一指和二指，是兩個(gè)完全不同的概念，為了區(qū)別兩者的...

薄膜是一種物質(zhì)形態(tài)，它所使用的膜材料非常***，可以是單質(zhì)元素或化合物，也可以是無(wú)機(jī)材料或有機(jī)材料。薄膜與塊狀物質(zhì)一樣，可以是單晶態(tài)的，多晶態(tài)的或非晶態(tài)的。近年來(lái)功能材料薄膜和復(fù)合薄膜也有很大發(fā)展。鍍膜技術(shù)及薄膜產(chǎn)品在工業(yè)上的應(yīng)用非常***，尤其是在電子材料與元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有及其重要的地位。鍍膜方法可以分為氣相生成法，氧化法，離子注入法，擴(kuò)散法，電鍍法，涂布法，液相生長(zhǎng)法等。氣相生成法又可分為物***相沉積法，化學(xué)氣相沉積法和放電聚合法等。真空蒸發(fā)，濺射鍍膜和離子鍍等通常稱(chēng)為物***相沉積法，是基本的薄膜制備技術(shù)。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。所以，真空技術(shù)是薄膜制作技術(shù)的基礎(chǔ)...

真空鍍膜機(jī)鍍膜是指在真空中制備膜層，包括鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。無(wú)錫光潤(rùn)為您介紹真空鍍膜機(jī)的原理。雖然化學(xué)汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜機(jī)鍍膜方法有三種形式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。蒸發(fā)鍍膜：通過(guò)加熱蒸發(fā)某種物質(zhì)使其沉積在固體表面，稱(chēng)為蒸發(fā)鍍膜?，F(xiàn)代已成為常用鍍膜技術(shù)之一。蒸發(fā)源有三種類(lèi)型：①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)。電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；②高頻感應(yīng)加熱源源：用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝...

可能會(huì)出現(xiàn)表面應(yīng)力裂紋的缺陷，有了底漆過(guò)渡，涂層的厚度約10-20um，是完全可以掩蓋塑膠粗糙的表面。而涂層自身的光滑度一般在，幾乎視為鏡面的效果。涂層填充性影響因素：油漆配方：固體量，生產(chǎn)工藝：膜厚3.獲得更厚的真空電鍍層.用底漆過(guò)渡,有利于獲得更厚獲得更厚的電鍍層,使產(chǎn)品得到更高的反射效果和力學(xué)性能.4.附著性.對(duì)于一些極性較差的塑膠,通過(guò)底漆過(guò)渡,可以獲得電鍍層附著性.5.耐熱性.塑膠熱變形溫度一般較低,通過(guò)底漆過(guò)渡,可以起到一定的熱緩沖作用,保護(hù)塑膠免遭熱變形.6.流平性7.耐熱性真空電鍍金屬層一般只有數(shù)十至數(shù)百納米，耐磨抗劃傷性能較差，同時(shí)真空電鍍金屬層暴露在空氣中很容易氧化，從而失...

按使用要求分為紫外、紅外及可見(jiàn)光用。3、氧化鋯材料特點(diǎn)白色重質(zhì)結(jié)晶態(tài)，具有高的折射率和耐高溫性能，化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，純度高，用其制備高質(zhì)量氧化鋯鍍膜，不出崩點(diǎn)影響一面平面透鏡的透光度有許多成因。鏡面的粗糙度會(huì)造成入射光的漫射，降低鏡片的透光率。此外材質(zhì)的吸旋光性，也會(huì)造成某些入射光源的其中部分頻率消散的特別嚴(yán)重。例如會(huì)吸收紅色光的材質(zhì)看起來(lái)就呈現(xiàn)綠色。不過(guò)這些加工不良的因素都可以盡可能地去除。很可惜的是大自然里本來(lái)就存在的缺陷。當(dāng)入射光穿過(guò)不同的介質(zhì)時(shí)，就一定會(huì)發(fā)生反射與折射的問(wèn)題。若是我們垂直入射材質(zhì)的話，我們可以定義出反射率與穿透率。很多人會(huì)好奇地問(wèn)：一片完美且無(wú)鍍膜玻璃的透光度應(yīng)該有多少?既...

以１８０度力方向迅速拉下膠紙，同一個(gè)位置進(jìn)行３次．實(shí)驗(yàn)工具：刀片，３Ｍ膠紙，毛刷．測(cè)試結(jié)果：１００／１００不掉漆，刀口處平整．測(cè)試項(xiàng)目二：耐磨耗測(cè)試測(cè)試程式：采用ＮＯＲＭＡＮＲＣＡ耐磨耗儀以及**的紙帶（規(guī)格：１１／１６inchside*6/8inchdiameter)，施加１７５g負(fù)重，帶動(dòng)紙帶在樣品的表面磨檫１５０次．測(cè)試工具：ＲＣＡ紙帶機(jī)，毛刷或者棉條．測(cè)試結(jié)果：１５０次（ＭＩＸ）未發(fā)現(xiàn)涂層破穿．測(cè)試項(xiàng)目三：硬度測(cè)試測(cè)試程式：用１Ｈ三菱鉛筆，將筆芯削成５mm的圓柱體，用４００目的砂紙磨平后，裝在**的鉛筆硬度測(cè)試儀上（負(fù)重１Ｋg,鉛筆與水平的角度為４５度）推動(dòng)鉛筆向前滑動(dòng)５mm長(zhǎng)度，不同...

Ta靶、鍺靶、Ge靶、銀靶、Ag靶、鈷靶、Co靶、金靶、Au靶、釓靶、Gd靶、鑭靶、La靶、釔靶、Y靶、鈰靶、Ce靶、鉿靶、Hf靶、鉬靶、Mo靶、鐵鎳靶、FeNi靶、V靶、W靶、不銹鋼靶、鎳鐵靶、鐵鈷靶、鎳鉻靶、銅銦鎵靶、鋁硅靶NiCr靶等金屬靶材。陶瓷靶材2.陶瓷靶材ITO靶、AZO靶，氧化鎂靶、氧化鐵靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、硫化鎘靶，硫化鉬靶，二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶，五氧化二鉭靶，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、氟化鎂靶，硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼...

可能會(huì)出現(xiàn)表面應(yīng)力裂紋的缺陷，有了底漆過(guò)渡，涂層的厚度約10-20um，是完全可以掩蓋塑膠粗糙的表面。而涂層自身的光滑度一般在，幾乎視為鏡面的效果。涂層填充性影響因素：油漆配方：固體量，生產(chǎn)工藝：膜厚3.獲得更厚的真空電鍍層.用底漆過(guò)渡,有利于獲得更厚獲得更厚的電鍍層,使產(chǎn)品得到更高的反射效果和力學(xué)性能.4.附著性.對(duì)于一些極性較差的塑膠,通過(guò)底漆過(guò)渡,可以獲得電鍍層附著性.5.耐熱性.塑膠熱變形溫度一般較低,通過(guò)底漆過(guò)渡,可以起到一定的熱緩沖作用,保護(hù)塑膠免遭熱變形.6.流平性7.耐熱性真空電鍍金屬層一般只有數(shù)十至數(shù)百納米，耐磨抗劃傷性能較差，同時(shí)真空電鍍金屬層暴露在空氣中很容易氧化，從而失...

氧化鉍、Bi2O3，氧化鐠、Pr6O11，氧化銻、Sb2O3，氧化釩、V2O5，氧化鎳、NiO，氧化鋅、ZnO，氧化鐵、Fe2O3，氧化鉻、Cr2O3，氧化銅、CuO等。高純氟化物氟化鎂、MgF2，氟化鐿、YbF3，氟化釔、LaF3，氟化鏑、DyF3，氟化釹、NdF3，氟化鉺、ErF3，氟化鉀、KF，氟化鍶、SrF3，氟化釤、SmF3，氟化鈉、NaF，氟化鋇、BaF2，氟化鈰、CeF3，氟化鉛等。高純金屬類(lèi)高純鋁,高純鋁絲，高純鋁粒，高純鋁片，高純鋁柱，高純銅，高純銅絲，高純銅片，高純銅粒，高純鉻，高純鉻粒，高純鉻粉，高純鉻塊，鉻條，高純鈷，高純鈷粒，高純金，高純金絲，高純金片，高純金粒，高純...

對(duì)膜層的反射率和透過(guò)率有不同的要求，促進(jìn)了多層高反射膜和寬帶增透膜的發(fā)展。為各種應(yīng)用需要，利用高反射膜制造偏振反光膜、彩色分光膜、冷光膜和干涉濾光片等。光學(xué)零件表面鍍膜后，光在膜層層上多次反射和透射，形成多光束干涉，控制膜層的折射率和厚度，可以得到不同的強(qiáng)度分布，這是干涉鍍膜的基本原理。三、方法和材料的區(qū)別1、真空鍍膜的方法材料：(1)真空蒸鍍：將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室，抽空后將膜料加熱到高溫，使蒸氣達(dá)到約，凝結(jié)而成薄膜。(2)陰極濺射鍍：將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面，把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi)，保持壓強(qiáng)約～，然后將陰極接上2000V的直流電源，便激發(fā)輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰...

通過(guò)控制擋板。可精確地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。分子束外延法用于制造各種光集成器件和各種超晶格結(jié)構(gòu)薄膜。濺射鍍膜用高能粒子轟擊固體表面時(shí)能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。濺射現(xiàn)象于1870年開(kāi)始用于鍍膜技術(shù)，1930年以后由于提高了沉積速率而逐漸用于工業(yè)生產(chǎn)。常用的二極濺射設(shè)備如圖3[二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料制成板材──靶,固定在陰極上?；糜谡龑?duì)靶面的陽(yáng)極上,距靶幾厘米。系統(tǒng)抽至高真空后充入10～1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽(yáng)極間加幾千伏電壓，兩極間即產(chǎn)生輝光放電。放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱(chēng)為濺...

成膜好，適合鍍化合物膜。但匹配較困難。可應(yīng)用于鍍光學(xué)，半導(dǎo)體器件，裝飾品，汽車(chē)零件等。6）增強(qiáng)ARE型。利用電子束進(jìn)行加熱；充入Ar，其它惰性氣體，反應(yīng)氣體氧氣，氮?dú)獾龋浑x化方式：探極除吸引電子束的一次電子，二次電子外，增強(qiáng)極發(fā)出的低能電子也可促進(jìn)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加；可用于鍍機(jī)械制品，電子器件，裝飾品。7）低壓等離子體離子鍍（LPPD）。利用電子束進(jìn)行加熱；依靠等離子體使充入的惰性氣體，反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是：基板溫升小，要對(duì)基板加熱，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能獲得氧化鋁，氮化鈦，碳化鈦等離子化合物鍍層；可用于鍍機(jī)械制品，電子器件，裝飾品。8）電場(chǎng)蒸發(fā)。利用電子束進(jìn)行...

使CCD不能充分利用所有光線，其低照性能難以令人滿意。五、濾光片術(shù)語(yǔ)入射角度：入射光線和濾光片表面法線之間的夾角。當(dāng)光線正入射時(shí)，入射角為0°。光譜特性：濾光片光譜參數(shù)(透過(guò)率T，反射率R，光密度OD，位相，偏振狀態(tài)s，p等相對(duì)于波長(zhǎng)變化的特性)。中心波長(zhǎng)：帶通濾光片的中心稱(chēng)為中心波長(zhǎng)（CWL）。通帶寬度用**大透過(guò)率一半處的寬度表示（FWHM），通常稱(chēng)為半寬。有效孔徑：光學(xué)系統(tǒng)中有效利用的物理區(qū)域。通常于濾光片的外觀尺寸相似，同心，尺寸略小些。截止位置/前-后：cut-on對(duì)應(yīng)光譜特性從衰減到透過(guò)的50%點(diǎn)，cut-off對(duì)應(yīng)光譜特性從透過(guò)到衰減的50%點(diǎn)。有時(shí)也可定義為峰值透過(guò)率的5%或者...