3D SIP。3D封裝和2.5D封裝的主要區別在于：2.5D封裝是在Interposer上進行布線和打孔，而3D封裝是直接在芯片上打孔和布線，電氣連接上下層芯片。3D集成目前在很大程度上特指通過3D TSV的集成。物理結構：所有芯片及無源器件都位于XY平面之上且芯片相互疊合，XY平面之上設有貫穿芯片的TSV，XY平面之下設有基板布線及過孔。電氣連接：芯片采用TSV與RDL直接電連接。3D集成多適用于同類型芯片堆疊，將若干同類型芯片豎直疊放，并由貫穿芯片疊放的TSV相互連接而成，見下圖。類似的芯片集成多用于存儲器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。SiP封裝基板具有薄形化、高密度、高精度等技術特點。湖北模組封裝定制價格

3D封裝結構的主要優點是使數據傳輸率更高。對于具有 GHz 級信號傳輸的高性能應用，導體損耗和介電損耗會引起信號衰減，并導致低壓差分信號中的眼圖不清晰。信號走線設計的足夠寬以抵消GHz傳輸的集膚效應，但走線的物理尺寸，包括橫截面尺寸和介電層厚度都要精確制作，以更好的與spice模型模擬相互匹配。另一方面，晶圓工藝的進步伴隨著主要電壓較低的器件，這導致噪聲容限更小，較終導致對噪聲的敏感性增加。散布在芯片上的倒裝凸塊可作為具有穩定參考電壓電平的先進芯片的穩定電源傳輸系統。廣東芯片封裝工藝除了2D與3D的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的涵蓋范圍。

SiP 技術在快速增長的車載辦公系統和娛樂系統中也獲得了成功的應用。消費電子目前 SiP 在電子產品里應用越來越多，尤其是 TWS 耳機、智能手表、UWB 等對小型化要求高的消費電子領域，不過占有比例較大的還是智能手機，占到了 70%。因為手機射頻系統的不同零部件往往采用不同材料和工藝，包括硅，硅鍺和砷化鎵以及其他無源元件。目前的技術還不能將這些不同工藝技術制造的零部件集成在一塊硅芯片上。但是 SiP 工藝卻可以應用表面貼裝技術 SMT 集成硅和砷化鎵芯片，還可以采用嵌入式無源元件，非常經濟有效地制成高性能 RF 系統。

SIP工藝解析：表面打標，打標就是在封裝模塊的頂表面印上去不掉的、字跡清楚的字母和標識，包括制造商的信息、國家、器件代碼等，主要介紹激光印碼。測試，它利用測試設備(Testing Equipment)以及自動分選器(Handler)，測定封裝IC的電氣特性，把良品、不良品區分開來;對某些產品，還要根據測試結果進行良品的分級。測試按功能可分為DC測試(直流特性)、AC測試(交流特性或timing特性)及FT測試(邏輯功能測試)三大類。同時還有一些輔助工序，如BT老化、插入、拔出、實裝測試、電容充放電測試等。SiP系統級封裝為設備提供了更高的性能和更低的能耗，使電子產品在緊湊設計的同時仍能實現突出的功能。

SiP還具有以下更多優勢：可靠性 – 由于SiP與使用分立元件（如IC或無源器件）的PCB系統非常相似，因此它們至少具有相同的預期故障概率。額外的可靠性來自所涉及的封裝，這可以增強系統并為設備提供更長的使用壽命。一個例子是使用模塑來封裝系統，從而保護焊點免受物理應力的影響。天線集成 – 在許多無線應用（藍牙、WiFi）中，都需要天線。在系統級封裝解決方案中，天線可以集成到封裝中，與RF IC的距離非常短，從而確保無線解決方案的更高性能。但是，對于完整的視圖，我們必須承認SiP也可能有一些缺點。先進封裝的制造過程中，任何一個環節的失誤都可能導致整個封裝的失敗。甘肅BGA封裝廠家

SiP封裝是將多個半導體及一些必要的輔助零件，做成一個相對單獨的產品。湖北模組封裝定制價格

至于較初對SiP的需求，我們只需要看微處理器。微處理器的開發和生產要求與模擬電路、電源管理設備或存儲設備的要求大不相同。這導致系統層面的集成度明顯提高。盡管SiP一詞相對較新，但在實踐中SiP長期以來一直是半導體行業的一部分。在1970年代，它以自由布線、多芯片模塊（MCM）和混合集成電路（HIC） 的形式出現。在 1990 年代，它被用作英特爾奔騰 Pro3 集成處理器和緩存的解決方案。如今，SiP已經變成了一種解決方案，用于將多個芯片集成到單個封裝中，以減少空間和成本。湖北模組封裝定制價格