光電器件、MEMS 等特殊工藝器件的微小化也將大量應用 SiP 工藝。SiP 發展的難點隨著 SiP 市場需求的增加，SiP 封裝行業的痛點也開始凸顯，例如無 SiP 行業標準，缺少內部裸片資源，SiP 研發和量產困難，SiP 模塊和封裝設計有難度。由于 SiP 模組中集成了眾多器件，假設每道工序良率有一點損失，疊乘后，整個模組的良率損失則會變得巨大，這對封裝工藝提出了非常高的要求。并且 SiP 技術尚屬初級階段，雖有大量產品采用了 SiP 技術，不過其封裝的技術含量不高，系統的構成與在 PCB 上的系統集成相似，無非是采用了未經封裝的芯片通過 COB 技術與無源器件組合在一起，系統內的多數無源器件并沒有集成到載體內，而是采用 SMT 分立器件。從某種程度上說：SIP=SOC+其他（未能被集成到SOC中的芯片和組件）。貴州半導體芯片封裝價位

2.5D SIP，2.5D本身是一種在客觀世界并不存在的維度，因為其集成密度超越了2D，但又達不到3D集成密度，取其折中，因此被稱為2.5D。其中的表示技術包括英特爾的EMIB、臺積電的CoWos、三星的I-Cube。在先進封裝領域，2.5D是特指采用了中介層（interposer）的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。物理結構：所有芯片和無源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和無源器件安裝在中介層上，在XY平面的上方有中介層的布線和過孔，在XY平面的下方有基板的布線和過孔。電氣連接：中介層可提供位于中介層上芯片的電氣連接。雖然理論上講，中介層可以有TSV也可以沒有TSV，但在進行高密度互連時，TSV幾乎是不可或缺的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。安徽模組封裝供應SiP封裝技術采取多種裸芯片或模塊進行排列組裝。

合封芯片、芯片合封和SiP系統級封裝經常被提及的概念。但它們是三種不同的技術，還是同一種技術的不同稱呼？本文將幫助我們更好地理解它們的差異。合封芯片與SiP系統級封裝的定義，首先合封芯片和芯片合封都是一個意思，合封芯片是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO、充電芯片、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片，從而形成一個系統或者子系統。以實現更復雜、更高效的任務。合封芯片可定制組成方式包括CoC封裝技術、SiP封裝技術等。

SiP還具有以下更多優勢：降低成本 – 通常伴隨著小型化，降低成本是一個受歡迎的副作用，盡管在某些情況下SiP是有限的。當對大批量組件應用規模經濟時，成本節約開始顯現，但只限于此。其他可能影響成本的因素包括裝配成本、PCB設計成本和離散 BOM（物料清單）開銷，這些因素都會受到很大影響，具體取決于系統。良率和可制造性 – 作為一個不斷發展的概念，如果有效地利用SiP專業知識，從模塑料選擇，基板選擇和熱機械建模，可制造性和產量可以較大程度上提高。SiP 可以將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件。

SiP系統級封裝，SiP封裝是云茂電子的其中一種技術。SiP封裝( System In a Package)是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標準封裝件。合封芯片技術就是包含SiP封裝技術，所以合封技術范圍更廣，技術更全，功能更多。為了在如此有挑戰的條件下達到優異和一致的印刷表現，除了良好的印刷機設置及合適的鋼網技術以外，為錫膏選擇正確的錫粉尺寸、助焊劑系統、流變性和坍塌特性就很關鍵。SiP技術路線表明，越來越多的半導體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現更深層次的3D封裝。廣西系統級封裝廠家

Sip這種創新性的系統級封裝不只大幅降低了PCB的使用面積，同時減少了對外圍器件的依賴。貴州半導體芯片封裝價位

SiP主流的封裝結構形式，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，2D封裝中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D結構是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝，也可采用硅通孔技術進行互連。貴州半導體芯片封裝價位