不同類別芯片進行3D集成時，通常會把兩個不同芯片豎直疊放起來，通過TSV進行電氣連接，與下面基板相互連接，有時還需在其表面做RDL，實現上下TSV連接。4D SIP，4D集成定義主要是關于多塊基板的方位和相互連接方式，因此在4D集成也會包含2D，2.5D，3D的集成方式。物理結構：多塊基板采用非平行的方式進行安裝，且每一塊基板上均設有元器件，元器件的安裝方式具有多樣性。電氣連接：基板間采用柔性電路或焊接的方式相連，基板中芯片的電氣連接多樣化。SiP 封裝采用超薄的芯片堆疊與TSV技術使得多層芯片的堆疊封裝體積減小。陜西陶瓷封裝參考價

SiP技術特點：設計優勢，SiP技術允許設計師將來自不同制造商的較佳芯片組合在一起，實現定制化的解決方案，這種靈活性使得SiP在多樣化的市場需求中具有普遍的應用前景。主要優勢如以下幾點：空間優化：通過將多個組件集成到一個封裝中，SiP可以明顯減少電路板上所需的空間。性能提升：SiP可以通過優化內部連接和布局來提升性能，減少信號傳輸延遲。功耗降低：緊密集成的組件可以減少功耗，特別是在移動和便攜式設備中。系統可靠性：減少外部連接點可以提高系統的整體可靠性。山西SIP封裝SiP技術是一項先進的系統集成和封裝技術，與其它封裝技術相比較，SiP技術具有一系列獨特的技術優勢。

3D主要有三種類型：埋置型、有源基板型、疊層型。其中疊層型是 當前普遍采用的封裝形式。疊層型是在2D基礎上，把多個裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進行垂直互連，構成立體疊層封裝。可以通過三種方法實現：疊層裸芯片封裝、封裝堆疊直連和嵌入式3D封裝。業界認定3D封裝是擴展SiP應用的較佳方案，其中疊層裸芯片、封裝堆疊、硅通孔互連等都是當前和將來3D封裝的主流技術。并排放置（平面封裝）的 SiP 是一種傳統的多芯片模塊封裝形式，其中使用了引線鍵合或倒裝芯片鍵合技術。

除了2D和3D的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SiP的范圍。此技術主要是將不同組件內藏于多功能基板中，亦可視為是SiP的概念，達到功能整合的目的。不同的芯片，排列方式，與不同內部結合技術搭配，使SiP 的封裝形態產生多樣化的組合，并可按照客戶或產品的需求加以客制化或彈性生產。SiP技術路線表明，越來越多的半導體芯片和封裝將彼此堆疊，以實現更深層次的3D封裝。圖2.19 是8芯片堆疊SiP，將現有多芯片封裝結合在一個堆疊中。微晶片的減薄化是SiP增長面對的重要技術挑戰。現在用于生產200mm和300mm微晶片的焊接設備可處理厚度為50um的晶片，因此允許更密集地堆疊芯片。SiP 可將不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多種材料進行組合進行一體化封裝。

除了 2D 與 3D 的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入 SiP 的涵蓋范圍。此技術主要是將不同組件內藏于多功能基板中，亦可視為是 SiP 的概念，達到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，與不同的內部接合技術搭配，使 SiP 的封裝形態產生多樣化的組合，并可依照客戶或產品的需求加以客制化或彈性生產。SiP 的應用場景SiP 技術是一項先進的系統集成和封裝技術，與其它封裝技術相比較，SiP 技術具有一系列獨特的技術優勢，滿足了當今電子產品更輕、更小和更薄的發展需求，在微電子領域具有廣闊的應用市場和發展前景。由于SiP電子產品向高密度集成、功能多樣化、小尺寸等方向發展，傳統的失效分析方法已不能完全適應。廣東MEMS封裝供應

SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環境的關鍵載體。陜西陶瓷封裝參考價

系統級封裝（SiP）是將多個集成電路（IC）和無源元件捆綁到單個封裝中，在單個封裝下它們協同工作的方法。這與片上系統（SoC）形成鮮明對比，功能則集成到同一個芯片中。將基于各種工藝節點（CMOS，SiGe，BiCMOS）的不同電路的硅芯片可以垂直或并排堆疊在襯底上。該封裝由內部接線進行連接，將所有芯片連接在一起形成一個功能系統。系統級封裝類似于片上系統(SOC)，但它的集成度較低，并且使用的不是單一半導體制造工藝。常見的SiP解決方案可以利用多種封裝技術，例如倒裝芯片、引線鍵合、晶圓級封裝等。封裝在系統中的集成電路和其他組件的數量可變，理論上是無限的，因此，工程師基本上可以將整個系統集成到單個封裝中。陜西陶瓷封裝參考價