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在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。ESD防護電路的主要功能是盡量在接口...

靜電的危害：對人體：在日常生活中，由于環境干燥、摩擦、穿戴化纖衣物等原因，經常導致身體產生靜電，在與金屬接觸時，會產生疼痛感，給人們帶來較大的心理壓力。有研究表明，當人體長期處于靜電的輻射下時，人會出現精神緊張、焦躁、胸悶等不適癥狀，影響正常的工作和生活。02對工業：比如在加油站，汽油屬于易燃液體，當環境溫度升高或出現異常情況時，油品揮發出的可燃蒸汽與空氣就會形成性混合物。一旦有火花出現，就可能發生火災，甚至，而靜電放電時則恰恰能夠提供火花。由此可見，靜電作為能夠提供火花的一種點火源，且其隱蔽性、潛在性、隨機性和復雜性為油庫火災或危害埋下了重大的安全隱患。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳...

國際電工委員會(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測試標準IEC61000-4-2來評價電子設備的ESD抗擾度等級。但人們在研究靜電放電的危害時，主要關心的是靜電放電產生的注入電流對電火工品、電子器件、電子設備及其他一些靜電敏感系統的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應，直到20世紀90年代初Wilson才***提出ESD過程中產生的輻射場影響。IEC61000-4-2標準雖幾經修改，規范了ESD模擬器對水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關于ESD輻射場的明確規定，對ESD模擬器也*規定了放電電流的典型波形和4個關鍵點參數。通常被測...

開車外出也要注意靜電的防護，在加油站時，一定要防范靜電，加油前先放電，一般情況下，自助加油機本身就能夠釋放靜電。自助加油機上的鍵盤，它的材質是金屬并且是直接與地相接觸的，車主在加油前輸入自己的加油信息時就已將身上所攜帶的靜電釋放出去了。當然，比較好能夠在加油前，先把手按壓在自助加油機的釋放靜電按鈕上放電，這樣會更加安全。正確使用加油槍，加油前，比較好將加油槍在油箱口輕碰一下以消除靜電。在加油時將油***盡量深入油箱口，這樣可以減少汽油蒸汽的揮發，相當于從源頭上減少了起火介質。如果油箱口冒火，千萬不要驚慌，應馬上停止加油作業，然后將加油槍口遠離油源，迅速用滅火器將火撲滅。防靜電的四項基本原則一：...

高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感，并要求防護器件有ns級的響應速度。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極管是比較廉價的方案，在GHz以上的電路中選用LC高通濾波器會有更加理想的ESD防護效果。ESD防護電路的防護能力與選用的防護器件、被保護器件的ESD敏感度、電路結構形式、布線等因素密切相關，一般無法直接確定一個防護電路單元的防護能力，必須把防護電路單元和被保護的具體電路作為一個整體并按照標準IEC61000-4-2的測試方法進行測試，以確定一個實際電路的防護效果。通過串聯的方式可以有效降低ESD防護電路的電容。河南SIM卡ES...

ESD策略，ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設計ESD防護電路的基本指導思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態電壓抑制二極管TVS半導體閘流管瞬態抑制器件TSS、快速開關二極管等。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關二極...

開車外出也要注意靜電的防護，在加油站時，一定要防范靜電，加油前先放電，一般情況下，自助加油機本身就能夠釋放靜電。自助加油機上的鍵盤，它的材質是金屬并且是直接與地相接觸的，車主在加油前輸入自己的加油信息時就已將身上所攜帶的靜電釋放出去了。當然，比較好能夠在加油前，先把手按壓在自助加油機的釋放靜電按鈕上放電，這樣會更加安全。正確使用加油槍，加油前，比較好將加油槍在油箱口輕碰一下以消除靜電。在加油時將油***盡量深入油箱口，這樣可以減少汽油蒸汽的揮發，相當于從源頭上減少了起火介質。如果油箱口冒火，千萬不要驚慌，應馬上停止加油作業，然后將加油槍口遠離油源，迅速用滅火器將火撲滅。SCR的高It2使得器件...

根據高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結構，防護器件的結電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發電壓)和箱位電壓(或二極管導通電壓)應大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應時間要小于被保護器件的響應時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向導通電壓，也可以直接選用低容值的快速開關二極管兩個反向并聯后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向導通電壓，應采用兩個快速開關二極管反向串聯后進行雙向ESD防護。...

ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。·電流>1A，·上升時間～15ns，衰減時間～150ns。ESD靜電放電的特點：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離。**經常發生的靜電起電現象是固體間的摩擦起電現象。此外還有剝離起電、破裂起電、電解起電、壓電起電、熱電起電、感應起電、吸附起電和噴電起電等。物體的靜電起電—放電一般具有高電位、強電場和寬帶電磁干擾等特點。國際上習慣將用于靜電防護的器材統稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。浙江BNC接口ESD保護元件原理ESD保護,在將電纜移去或連接到網絡分析儀上時，防止靜電放電（ESD...

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下，因為當存在連續起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產生的靜電電位有所不同。在干燥的季節，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏。3、產生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產生的附著于人體上的靜電。靜電的產生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。防靜電的四項基本原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導體...

ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設計的難度增火。ESD脈沖具有持續時間短(ns~數百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數百KHz到數GHz的范圍，其能量主要集中在數MHz到數百MHz的范圍內，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應速度和良好的高頻性能。在GHz以下的電路中選用低容值...

現行的 IEC61000—4—2標準規定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標準化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現有標準展 開***的討論和完善 。但是我國相關領域 的工作開展不多。現行的 ESD抗擾度實驗標準是沿用原 IEC標準，對標準的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關標準，成立了各項標準委員會。ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等...

人體靜電防護編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源。對于靜電來說，人體是導體，所以可以對人體采取接地的措施。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊、地毯，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導到大地)通過手用以泄放人體的靜電。它由防靜電松緊帶、活動按扣、彈簧軟線.保護電阻及插頭或夾頭組成。松緊帶的內層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織。ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護器件的響應速度要求較高。福建USB3.0接口ESD保護元件參數對于ESD，我們應該如何進行一個選型呢？ESD主要分為四類：TVS二極管...

現行的 IEC61000—4—2標準規定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標準化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現有標準展 開***的討論和完善 。但是我國相關領域 的工作開展不多。現行的 ESD抗擾度實驗標準是沿用原 IEC標準，對標準的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關標準，成立了各項標準委員會。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的...

現行的 IEC61000—4—2標準規定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標準化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現有標準展 開***的討論和完善 。但是我國相關領域 的工作開展不多。現行的 ESD抗擾度實驗標準是沿用原 IEC標準，對標準的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關標準，成立了各項標準委員會。MM機器模型放電的波形與預料的家具模型波形相似，不同的是帶電電容較大。甘肅U...

靜電保護元件被廣泛應用于HDMI接口、便攜式視頻設備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統、便攜設備（PDA、DSC、藍牙）、打印機接口、衛星接收器、DVI、天線等進而改善對敏感電子元件的保護。注意事項編輯 播報1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術經理，說過一句很經典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。E...

高頻接口的ESD防護電路設計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產品內部接口的靜電放電風險主要是在產品及其部件的組裝和測試過程，當制造環境和測試策略進行適當的防靜電控制后，ESD風險能夠得到一定程度的降低，但是實際經驗表明，這些內部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達到+2000V以上才是比較安全的。通信產品外部接口的ESD風險不僅存在于產品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實際經驗表明，這些外部接口的ESDS需要達到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應選用防靜電能力強的器件，并需...

靜電放電ESD接觸放電就是是電荷集中到一點然后通過可接觸的導體直接轉移到測試產品里面，這個是有預期的，一般打在控制板附近，固控制板的螺絲、可接觸的引腳上面。ESD空氣放電是電荷集中到***頭頂端保持5秒，通過慢慢靠近被測試產品不能導電的部分看電荷能不能擊穿絕緣部分，或者通過縫隙擊穿空氣進去。這個觸發是360度隨機的。這樣的方式可以找到產品的不足之處。一般擊打屏幕縫隙、按鍵縫隙、還有嵌入式的引腳端口等不能直接接觸到導體的地方。硅基ESD保護器件的結電容與其工作電壓成反比關系。甘肅SD卡ESD保護元件測試靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容...

降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯結電容和串聯電感。福建低...

ESD靜電的來源,在電子制造業中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關的儀器設備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當于良導體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。MOS與BJT用于E...

靜電的發生機制。由于不同原子的原子核對電子的束縛能力不同，物體相互靠近時，電子就會在物體之間發生轉移，從而導致電荷在物質系統之間的不均勻分布，打破原本的平衡狀態。所謂靜電，其實就是這些發生轉移、在某一物體上積累下來的電荷，而由這些電荷引發的諸多現象，如頭發炸毛、電腦屏幕粘上灰塵等，就是靜電現象。當我們活動時，身體、衣物會和地面、空氣等產生摩擦，使電子在它們之間發生轉移，從而使身體帶電。我們的鞋子大多是絕緣的橡膠底，身體累積的電荷不可能通過鞋導給大地，于是身體的電荷逐漸累積，也就產生了靜電。靜電現象在冬天比在夏天更為常見，這與不同濕度下空氣的導電能力有關。相對濕潤時，空氣中漂浮著大量微小液滴，可...

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽...

由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低，以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓，達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言，...

現行的 IEC61000—4—2標準規定 的測試方法和實驗平 臺仍存在一定局限性，需進一步研究 和改進 。ESD協 會 WG14、ANSIC63.16和 IECSC77BWG9等標準化 國際組織都在努力提高靜電放 電抗擾度測試 的一致性，對現有標準展 開***的討論和完善 。但是我國相關領域 的工作開展不多。現行的 ESD抗擾度實驗標準是沿用原 IEC標準，對標準的制定和修改工作沒有與國際接軌 ，從而在 ESD抗擾度測試方面仍然落后于西方發達國家。我過也在積極的開展研究靜電放電測試方面的相關標準，成立了各項標準委員會。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD...

MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為...

在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質量會產生較大的影響，這要求設計的ESD防護電路具有很小的寄生參數，對信號質量和阻抗匹配產生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進入被保護電路。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數字IC內部的I/0端口一般無法直接設計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(主要是結電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。在ESD設計中，Diode是一種常見...

靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標準，不是越高越好，而是適合自已的產品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術經理，說過一句很經典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。福建耳機接口ESD保護元件測試ESD靜電放電機器模型,機器模型的等效電路與人體模型相似，但...

MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為...

靜電的發生機制。由于不同原子的原子核對電子的束縛能力不同，物體相互靠近時，電子就會在物體之間發生轉移，從而導致電荷在物質系統之間的不均勻分布，打破原本的平衡狀態。所謂靜電，其實就是這些發生轉移、在某一物體上積累下來的電荷，而由這些電荷引發的諸多現象，如頭發炸毛、電腦屏幕粘上灰塵等，就是靜電現象。當我們活動時，身體、衣物會和地面、空氣等產生摩擦，使電子在它們之間發生轉移，從而使身體帶電。我們的鞋子大多是絕緣的橡膠底，身體累積的電荷不可能通過鞋導給大地，于是身體的電荷逐漸累積，也就產生了靜電。靜電現象在冬天比在夏天更為常見，這與不同濕度下空氣的導電能力有關。相對濕潤時，空氣中漂浮著大量微小液滴，可...

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當陽極出現PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結發生雪崩擊穿，擊穿產生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現強烈的電導調制效應，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽...